电工电子技能训练九电子技术基本操作和常用电子仪器的使用(编辑修改稿)内容摘要:
号 高频小功率管 3 D G 6 B示例 2:三极管 3DG6B的型号意义如下所示 2. 半导体二极管 (1) 半导体二极管的分类及符号 1)按其用途不同可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光敏二极管; 2)按其制作材料不同可分为锗二极管和硅二极管; 3)按其制作工艺的不同可分为点接触二极管和面接触二极管。 常用二极管的外形及符号如图。 ( a)普通二极管( b)稳压二极管( c)发光二极管。 图 常用二极管的外形及图形符号 (2) 二极管的主要参数 反向饱和电流 IS 指二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向 导电性越好。 Is值随温度增加而增加,使用时要注意。 最大整流电流 IF 指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压 URM 指正常使用时允许加在二极管两端的最大反向电压。 最高工作频率 fM 反向恢复时间 trr (3) 二极管的简单测试 用数字万用表来测试普通二极管是十分方便的。 它可以判断普通二极管的 阳、阴极性,二极管的好坏,是硅管还是锗硅等。 只要使用数字万用表的“” 档(以下简称通断档)分别测试二极管的正向电阻和反向电阻就可以进行 以上判断。 1)好坏的判别 如果数字万用表的两次读数均显示 “ 1”,则被测元件已经损坏或它根本就不 是二极管。 当两次读数有一次显示 .2XX~.7XX(X表示任意数字 ),另一次显 示 “ 1”时,说明二极管是好的。 2)材料的判别 如果两次读数字中有一次显示为 .2XX~.4XX表示是锗管,如果显示的 是 .5XX~.7XX表示是硅管。 3)正负极性的判别 在两次测量中,有数字显示的那次测量,数字万用表红表笔所接的一端为 二极管的阳极,黑表笔所接的一端为阴极。 当然判断二极管的阳极阴极也可以用观察的方法类别,一般二极管的外壳 上均印有箭头、色点、色环等标识,箭头所指向的方向或靠近色环的一端 为阴极,有色点的一端为阳极。 3. 半导体三极管 (1) 三极管的分类与外形 按所用的半导体材料分有硅管和锗管(硅管多为 NPN型。 锗管多为 PNP型); 按结构分有 PNP管和 NPN管; 按其用途又分为低频管、中频管、高频管、超高频管、小功率管(功率小于 1W)、中功率管、大功率管和开关管等; 按封装形式分有玻璃壳封装管、金属壳封装管、塑料封装管等。 图 晶体管的结构和符号 图 金属壳与塑料壳三极管外形图 (2) 三极管的简单测试 用数字万用表可以十分方便地判断出三极管的三极、管芯类 型( NPN, PNP)以及测量其 β。 1)判别基极和三极管的管芯类型 2) β 的测量和集电极 c、发射极 e的判别 半导体集成电路 简称为集成电路,它利用半导体工艺把晶体管三极管、晶体二极管、电阻、电容等元件制作在同一基片上,并按要求相互连接起来,使其成为具有一定功能的电路。 与由分立元件组成的电路比,具有体积小、集成度高、功耗小、可靠性高、重量轻、成本低等优点。 1. 集成电路的分类 按处理信号不同可分为数字集成电路和模拟集成电路。 数字集成电路按电路集成度又可以分为: ① 小规模集成电路( SSI) ② 中规模集成电路( MSI) ③ 大规模集成电路( LSI) ④ 超大规模集成电路( VLSI) 集成电路的分类 综合考虑制造工艺和使用功能,集成电路的分类如下: (1) 数字电路 TTL电路、 HTL电路、 ECL电路、 CMOS电路、微型机电路 (2) 模拟电路 运算放大器、稳压器、音响电路、电视电路、非线性电路 (3) 接口电路 电平转换器、电压比较器、线驱动接收器、外围驱动器 (4) 特殊电路 2. 半导体集成电路电路型号命名方法 74表示国际通用 74系列(民用); 54表示国际通用 54系列(军用)。 H表示高速。 L表 示低速。 LS表示低功耗。 C表示只出现在 74在系列。 M表示只出现在 54系列。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 中国制造 器件类型 器件系列品种 工作温度范围 封 装 C T: TTL电路 H: HTL电路 E: ECL电路 C: CMOS电路 M:存储器 μ :微型机电路 F:线性放大器 W:稳压器 D:音响电视电路 B:非线性电路 J:接口电路 AD: A/D转换器 DA: D/A转换器 SC:通信专用电路 SS:敏感电路 … TTL电路分为: 54/74 54/74H 54/74L 54/74S 54/74LS 54/74AS 54/74ALS 54/74F CMOS电路为: 4000系列 54/74HC 54/74HCT … C: 0~70℃ G: 25~70℃ L: 25~85℃ E: 40~85℃ R: 55~85℃ M: 55~125℃ F:多层陶瓷扁平封装 B:塑料扁平封装 H:黑瓷扁平封装 D:多层陶瓷双列直插封装 J:黑瓷双列直插封装 P:塑料双列直插封装 S:塑料单列直插封装 T:金属圆壳封装 K:金属菱形封装 C:陶瓷芯片载体封装 E:塑料芯片载体封装 G:网络针棚陈列封装 … SOIC:小引线封装 PCC:塑料芯片载体封装 LCC:陶瓷芯片载体封装 表 半导体集成电路型号命名法 3. 数字集成电路简介与使用一般规则 (1) TTL集成电路简介 1)国产 TTL集成电路有 T1000~T4000系列 T1000标准系列与国标 CT54/74系列及国际 SN54/74通用系列相同; T20xx高速系列与国标 CT54H/74H系列及国际 SN54H/74H高速系列相同; T3000肖特基系列与国标 CT54S/74S系列及国际 SN54S/74S肖特基系列相同; T4000低功耗肖特基系列与国标 CT54LS/74LS系列及国际 SN54LS/74LS低功 耗肖特基系列相同。 2)型号区别 54与 74系列的区别主要是在工作环境温度上, 54系列为 55~+125℃ , 74 系列为 0~+70℃。 T1000~T4000的主要区别仅在于典型门的平均延迟时间和平均功耗两个 参数有所不同,其它电参数和外引线排列基本相同,可根据要求选择功能相 同的系列电路互为代用。 (2) TTL集成电路一般使用规则 电路规定的工作极限参数不能超过 保证电源电压的稳定 输入输出端的处理 当负载为容性且电容量大于 100pF时, TTL输出端应串接数百欧姆的限流电阻限。电工电子技能训练九电子技术基本操作和常用电子仪器的使用(编辑修改稿)
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00 破碎能力( t/h) 2~ 8 整机重量( t) 约 10 16 刀头数量 16 出料粒度( mm) ≤ 20 转速( r/min) 2080(可调) 二级破碎设备 (1)、应用范围 主要用于对一级破碎的物料进行细破碎,破碎过程 中可对一级破碎后的物料,进行磨粉,对物料具有磨切作用和锤击作用,使物料松散,非金属和金属解离,使物料形成粉末,粒径小于 2㎜。 (2)、结构特点
供应 • 三、需要作生产试验的原料 • 第二节 建设地区的选择 • 一、自然条件 • 二、基础设施 • 三、社会经济条件 • 四、其它应考虑的因素 • 第三节 厂址选择 • 一、厂址多方案比较 • 二、厂址推荐方案 • • 第九章 电池柜项目应用技术方案 • • 第一节 电池柜项目组成 • 第二节 生产技术方案 • 一、产品标准 • 二、生产方法 • 三、技术参数和工艺流程 • 四
废品回收公司派车上门收购,故本项目产生的废玻璃不会对周围环境产生不利影响。 保护措施 1.大部分冷却用的 DI 水都可以循环使用,循环使用过的 水无需处理即能达到国家标准规定的排放标准。 2.尽管设备产生的噪音低于 60 分贝,达到国家 “工业企业厂界噪声标准” GB1234890二类标准。 环境影响综合评价 严格执行《环境保护法》、《大气环境质量标准》、《地面水环境质量标准》
) 、慢速驱动装置 在球磨机检修和更换衬板时使用。 此外,磨机停机后再次启动前,应慢速转动消除钢球偏载,保证安全启动,起到保护作用。 慢速驱动装置由行星齿轮减速器、制动电机、 离合器组成。 有液压装置,避免与主电机同时运转。 8) 、防护罩 大齿轮和小齿轮的防护罩为组装式钢板罩,齿轮与罩子之间有迷宫密封,防护罩上有检查孔和放油孔,为便于运输,防护罩被分为几段。 提供气动离合器等旋转部件的安全罩。
产品性能达到预期标准,就可进行中试生产;如果达不到预期标准,找出影响产品从实验研发到小试生产的关键因素,然后进行调整改进,最后使小试产品达到预期标准。 建立研究技术及电池生产工艺数据库,明确各种因素对电池性能产生的影响。 ( 8)中试生产:在小试生产成功的基础上,进行中试生产,检验中试产品是否到达预期目 标同时进行改进。 对中试产品性能进行检测,分析各种因素对产品性能所产生的影响