cz生长原理及工艺流程(编辑修改稿)内容摘要：
平滑，晶体直径均匀并达到目标值。 从原理上说也可以采用升高熔体的温度来实现转肩，但升温会增强熔体中的热对流，降低熔体的稳定性，容易出现位错 (断苞 )，所以，目前的工艺都采取提高拉速的快转肩工艺。 6．等径生长 当晶体基本实现等径 生长并达到目标直径时，就可实行直径的自动控制。 在等径生长阶段，不仅要控制好晶体的直径，更为重要的是保持晶体的无位错生长。 晶体内总是存在着热应力，实践表明，晶体在生长过程中等温面不可能保持绝对的平面，而只要等温面不是平面就存在着径向温度梯度，形成热应力，晶体中轴向温度分布往往具有指数函数的形式，因而也必然会产生热应力。 当这些热应力超过了硅的临界应力时晶体中将产生位错。 由轴向温度梯度引起的位错密度 ND 可以用下式表示 [41]： 式中， β 是硅的热胀系数 (在 500～ 850℃ 温度范围内约为 )， b 是柏格斯矢量的绝 对 值， G 是切变模量， σC 是硅的临界应力， r 是晶体半径。 从式 (4． 28)可知，轴向温度梯度不引起位错的条件是 径向温度梯度引起的位错密度由下式表示 式中 l是晶体长度。 从式 (4． 30)可知，径向温度梯度不引起位错的条件是 因此，必须控制径向温度梯度和轴向温度梯度不能过大，使热应力不超过硅的临界应力，满足这样的条件才能保持无位错生长。 另一方面，多晶中夹杂的难熔固体颗粒、炉尘 (坩埚中的熔体中的 SiO 挥发后，在炉膛气氛中冷却，混结成的颗粒 )、坩埚起皮后的脱落物等，当它们运动至生长界面处都会引起位错的产生 (常常称为断苞 )，其原因一是作为非均匀成核的结晶核，一是成为位错源。 调整热场的结构和坩埚在热场中的初始位置，可以改变晶体中的温度梯度。 调节保护气体的流量、压力，调整气体的流向，可以带走挥发物 SiO 和有害杂质 CO 气体，防止炉尘掉落，有利于无位错单晶的生长，同时也有改变晶体中的温度梯度的作用。 无位错状态的判断因晶体的晶向而异，一般可。阅读剩余 0%
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