电子类公司笔试题精选(编辑修改稿)内容摘要:

官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。 (降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试) 80、Please draw schematic of a mon SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题circuit )8名词:sram,ssram,sdram 名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR |5L39。 ^*.: Interrupt ReQuest BIOS: Basic Input Output System USB: Universal Serial Bus VHDL: VHIC Hardware Description Language SDR: Single Data Rate !{(]%P2o+{压控振荡器的英文缩写(VCO)。 动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。 名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器),FIR IIR DFT(离散傅立叶变换)或者是中文的,比如: 二、IC设计基础(流程、工艺、版图、器件) 我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念)。 (仕兰微面试题目) FPGA和ASIC的概念,他们的区别。 (未知)答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。 根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。 与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在。 (仕兰微面试题目) 你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种。 (仕兰微面试题目) 描述你对集成电路设计流程的认识。 (仕兰微面试题目) 简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 (仕兰微面试题目) IC设计前端到后端的流程和eda工具。 (未知) 从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)Asic的design flow。 (威盛VIA 上海笔试试题) 写出asic前期设计的流程和相应的工具。 (威盛) 1集成电路前段设计流程,写出相关的工具。 (扬智电子笔试) 先介绍下IC开发流程: 1.)代码输入(design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码 BBS语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL h5k39。 ?4]%Z6s1mMENTOR RENIOR 图形输入: poser(cadence)。 viewlogic (viewdraw) 2.)电路仿真(circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具: BBSVerolog: CADENCE VeroligXL MENTOR Modlesim VHDL : CADENCE NCvhdl 4MENTOR Modlesim 2A.模拟电路仿真工具: ***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp 3.)逻辑综合(synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。 最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 1请简述一下设计后端的整个流程。 (仕兰微面试题目)1是否接触过自动布局布线。 请说出一两种工具软件。 自动布局布线需要哪些基本元素。 (仕兰微面试题目) 1描述你对集成电路工艺的认识。 (仕兰微面试题目) 1列举几种集成电路典型工艺。 ,。 (仕兰微面试题目) 1请描述一下国内的工艺现状。 (仕兰微面试题目) 1半导体工艺中,掺杂有哪几种方式。 (仕兰微面试题目) 1描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。 (仕兰微面试题目) 1解释latchup现象和Antenna effect和其预防措施.(未知) 什么叫Latchup?(科广试题)2什么叫窄沟效应? (科广试题) 2什么是NMOS、PMOS、CMOS。 什么是增强型、耗尽型。 什么是PNP、NPN。 他们有什么差别。 (仕兰微面试题目) 2硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有什么要求。 (仕兰微面试题目) 2画出CMOS晶体管的CROSSOVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。 (Infineon笔试试题)2以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。 (科广试题) 2Please e。
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