外文翻译中文---简易微机电系统设备的无线供电方案(编辑修改稿)

外文翻译中文---简易微机电系统设备的无线供电方案(编辑修改稿)内容摘要：

作频率上的限制以外的辅助功能已不再作为一个电感器，但而不是作为一个电容器。 寄生电阻和电容的主要是更重要的一面相比，那些在第二位的。 核心损耗电阻，RCORE，在核心与平行损失为能源的主要账户。 电路中的元素具有不同的配置不同的重要性变压器。 在这个文件中，主要关注的是提高耦合系数，找出最佳工作频率范围。 这些问题将在下 面的章节 提到。 变压器是由一个绕线初级，铁氧体磁芯和一个辅助弹簧圈上的硅晶片。 其核心是由两部分组成，以提供一个可调节的空气间隙。 图 3显示了在测试夹具的核心和线圈支持。 金属制品业 副线圈 是安装在印刷电路板，便于操作。 二次是一个边长的平方平均螺旋弹簧圈 12mm 作为几何图。 4（ 1）。 加工涉及电子束蒸发的铜层的一氧化硅晶片，并发射的图案。 铜线圈为 微米厚。 线圈有 10 转和 80 微米的金属痕迹以 100 微米间距宽。 电气参数的物理和核心，第二是总结于表 1。 变压器是由一个绕线初级，铁氧体磁芯和一 个辅助弹簧圈上的硅晶片。 其核心是由 图 3. 微线圈的装配和测量 Philips 3F3制造的核心 连接及其固定用 PCB电路板 片上集成的铜制副线圈 十匝 两部分组成，以提供一个可调节的空气间隙。 图 3 显示了在测试夹具的核心和线圈支持。 金属制品业 副线圈 是安装在印刷电路板，便于操作。 二次是一个边长的平方平均螺旋弹簧圈 12mm 作为几何图。 4（ 1）。 加工涉及电子束蒸发的铜层的一氧化硅晶片，并发射的图案。 铜线圈为 微米厚。 线圈有 10 转和 80 微米的金属痕迹以 100 微米间距宽。 电气参数的物理和核心，第二是总结于表 1。 表 1. 主副核心的物理参数 核心 副端 材料 Philips 3F3 匝数 10 边长 50 x 40 mm2 厚度 纳米 截面积 8 x 8 mm2 宽度 80纳米 气隙宽度 010mm 间距 20纳米 详细功率损耗 100 176。 C， 400 kHz， 50 mT 150 mW/cm3 平均边长 12mm 感应系数 μ H 25176。 C时相对磁导率 2020 阻抗 ohm 线圈阻抗的测定是使用 40 千赫至 110 兆赫的安捷伦 4294A 阻抗分析仪在频率范围内。 曲线的阻抗与频率特性进行拟合使用 3 元模型，如图所示。 4（ b）项提取的集总元件的值。 模型比较从线圈阻抗测量计算值与图中给出。 4（三）与 L = 之间， R= 和 c = 67 pF 的，它可以看出，实测值和计算以及与其他各同意。 该次级线圈自我共振频率大约是 10兆赫。 这些参数将用于低于预测的变压器频率响应。 图 4 利用集总元件对 副线圈的阻抗测量和曲线拟合 ((b)中对应参数 ， L = μH ,R = Ω ,C = 67 pF)。 （ a）核心图解 线圈阻抗的实数部分（Ω） 线圈阻抗的复数部分（Ω） 大小 曲线拟合 大小 曲线拟合 （ b）线圈等效电路 （ c）频率与阻抗 频率（ Hz） 对于前面提到的原因系数，耦合是一个值得探讨的重要人物，以变压器设计的。 耦合系数是通过以下方式获得， 指图。 2：打开电路中的 主线圈 和 副线圈 共测量电感， L』= 12。 短路的 主线圈 和 副线圈 电感措施，即现在的漏感， L39。 39。 在不同的测量线圈电感两者的磁化电感线圈，它等于 L2， m=k2L2。 因此， k=(L2,m)= (L’ L’’ /L’ )。 （对于一个理想的变压器，这应该同意测量方 K 的主。 我们的测量不能主要表现在由于方程不欧姆有效期为大 ZL，这是 的阻力的情况下为我们的盘管系列与。 ）严格来说，只有当电抗线圈寄生效应，如由于电容，总有一个微不足道的影 响可以准确的电感值来衡量。 因此，我们的测量难免受到寄生电容的一些错误，因为纳因在高频率变得显着。 不过，我们的 k值是有意义的测量在较低的频率，以及他们所服务的设计目的比较不同变压器。 变压器优化设计的第一步。