外文翻译译文--用磁力显微镜的记录头测量磁场饱和度(编辑修改稿)

外文翻译译文--用磁力显微镜的记录头测量磁场饱和度(编辑修改稿)内容摘要：

大小。 从图 3（ e） （ h） ，它对应的直流电流 3毫安 和 7毫安，可以观察相关的磁场 ， 增加了鲜明对比。 然而，在图 3（ g）和（ h），分别对应 15毫安 和 23毫安适用直流电流，对比仍然几乎相同，很难看到磁饱和，发生在图 3边缘 处。 上述之研究结果 清楚地表明， 与 传统的方法 相比， 磁力显微镜技术更适合观测记录头的饱和行为。 本科毕业论文外文翻译 5 5 图 3 B 场的饱和依赖 本科毕业论文外文翻译 6 6 结果在图 3（ a） – （ d）发现 ， 饱和磁场开始在边角 ， 可被视为 场 依赖磁场饱和 绕磁极。 为了研究空间饱和行为的磁场，我们已经探讨了进化的 磁力显微镜 信号在不同位置的记录头，其对应的边角，边中心，和点尾随极边显示的原子力显微镜图像 ，如 图 4（ a）， 在边缘 处 ，简单的降低 磁力 显微镜 信号 ， 从 3毫安表示磁场饱和已经开始在低 电流值 区了， 在边缘的 中心，目前依赖的磁力显微镜信号改变 10 毫安左右。 因此，磁饱和开始在 10 毫安边缘中心。 在 后极 的边缘，磁力显微镜信号大致不变，约为 15毫安。 这意味着磁场泄漏 发生 在尾部 ， 极边缘的增加比例与直流电流高达约 15mA，然后开始饱和。 从这些结果 看出 ， 场的 依赖 性 H– I 曲线记录头将 表现如下 ： 1） 磁力显微镜 信号值在边角 3 毫安 直流电流相当于一个在边缘的中心 ，如 图 4（ b） ， 在我们先前的研究中，巨大的磁域在边角及中心几乎相同 在 30 毫安左右 [ 10 ]。 考虑到饱和已经开始在 边角 处 低电流而不是边缘中心 ， 这表明 俩个 事实 ： 一个是磁域的角落，达到饱和 时 ，它是 到达 边中心。 另一个是在一个直流电流值小于 3 毫安，斜坡的 H– I曲线弯道是高于在边缘 中心。 2） 跟 随在北极边缘 的 曲线 ，相 比 于 边缘的角落或 中心 ， H– I 曲线磁场泄漏是非常 平缓的。 虽然 该 实验是 在 这项工作 的 低频区域研究了饱和特性， 但 在高频区，在不久的将来将有可能使用 扫描探针显微术 [ 10 ]加以研究。 本科毕业论文外文翻译 7 7 图 4 四． 结论 一种新方法， 用记录头测量 图像饱和行为是成功 实验了。 饱和磁场 磁力 相互作用与变化的磁场相对于施加电流测量成像 ，应用本文提到的方法，用测量头测试场饱和度还在研究， 磁场饱和引起的间隙角 已 被证明。 参考文献： [1] D. Rod233。 and H. N. Bertram, “Characterization of head saturation,” IEEETrans. Magn., vol. 本科毕业论文外文翻译 8 8 25, pp. 703–709, Jan. 1989. [2] T. Rask, P. Iverson, and J. H. Judy, “Modeling of MIG heads u。