外文翻译--智能单片机板基于气体传感器系统在cmos技术译文(编辑修改稿)内容摘要：
图 图 4 是芯片的 示意图。 该电路分为三个基本功能： （一）膜的温度控制回路；（二）大部分芯片温度测量；（三）锡电阻测量。 该芯片是带有偏置电流的独立测温的偏置膜温度传感器。 比例温度控制器（图 5）实施一个运算放大器和内部带有 8 pF 的 稳定电容器。 膜温度控制房间温度高达 350 ℃ ，该运算放大器驱动功率晶体管，它提供了前面的多晶硅加热器。 投入的运算放大器组成的控制电压（ VCONTROL ）和电压降的多晶硅温度传感器（ RTEMP 感应器 ），它提供了反馈信号的温度控制器。 多晶硅是有偏置的温度传感器并且温度无关的电流（ IBIAS）。 老化的多晶硅温度传感器得不到补偿的电子芯片。 主导极点的温度控制系统是由热时间常数的膜决定，大约 20 毫秒。 一个片上稳定电容用来滤掉低频信号的运算放大器。 图 6. 散装芯片温度测量电路图 控制器 图 7. 对数转换器 图 AHDL 建模 比例温度控制器主要优势是它占用芯片面积小，最重要设计中的比例控制器之间的稳定（相位裕量）和稳态误差。 当开环增益控制器增加时，相位裕量和稳态误差减少，反之亦然。 一个很好的稳定相位裕量和稳态误差，开环增益为 76 分贝，相位裕量大约 88 度。 温度控制器的稳态误差主要介绍了偏移电压的运算放大器，这是独立的开环增益的系统，即稳态误差在偏移电压的运算放大器没有减少时，开环增益的增加。 校准传感器时，在室温条件下，失调电压为补偿（即稳态误差补偿是在室温条件下），但温度会影响偏移电压。 稳态误差测量传感器系统操作温度范围 （环境温度在 40 和 120℃ ）是不到 1％的膜温度。 大部分芯片温度是在使用的不同电流时通过垂直的 PNP 晶体管的电压。阅读剩余 0%
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