外文翻译---利用内嵌薄膜热电偶传感器测量切削温度(编辑修改稿)

外文翻译---利用内嵌薄膜热电偶传感器测量切削温度(编辑修改稿)内容摘要：

放置在到面的右半侧和一部分重叠位置，就是 热接点产生的地方。 这个过程一直重复到的 NiCr（ 80:20质量 %）目标在刀具左半部分表面和重叠位置。 Ni 和 NiCr 层不必要的部分会被除去，方法是通过一系列物理 消除 或者化学 腐蚀 的 措施方法 方法，以便于形成 热电偶适配器。 利用氯化铁和（ NH4） 2Ce（ NO3） 6除镍和镍铬的解决方案，分别进行了化学蚀刻。 镍和镍铬薄和细层形成的薄膜电晶体沉积氧化铪，而留下无涂层的热电偶端子绝缘。 由于氧化铪高的热稳定性和化学稳定性，这一层是最好的绝缘体薄膜电晶体之一。 镍和镍铬薄和细层形成的薄膜电晶体沉积氧化铪，而留下无涂层的热电偶端子绝缘。 由于氧化铪高的 4 热稳定性和化学稳定性，这一层是最好的绝 缘体薄膜电晶体之一。 螺旋磁控溅射，物理气相沉积法，用于涂层氧化铪 6毫米厚的。 然后，锡， TiAlN涂层或 TiAlSiN形成一个保护涂层和耐磨层。 例如，锡沉积使用 5H反应直流磁控溅射的厚度为 3毫米。 上面 图 3显示了三种类型制作的工具在进行保护和耐磨涂层之前和之后的数据。 可以看出在 HfO2层下的热电偶通过该层。 镍铬终端两张照片看白色的反射光。 一般来说，热路口的宽度为 750毫米和 300毫米分别为类型 I和 II，而Ⅲ型被设成为 50， 100 或 150毫米。 然而，热路口的宽度并不总是固定在上面的值。 对于每种类型的热电偶。 硬质涂层材料可以选择从锡 TiAlN TiAlSiN中选择。 本文选取锡。 场发射扫描电子显微镜（ SEM）是用于调查的堆积层在炎热的交界处质量。 图 4 显示内置的 TFT工具的纵向截面的背散射电子（ BSE）图像。 在此图像中，每一种材料显示材料特有的颜色和亮度。 然而，应当指出的是，亮度也取决于表面形貌。 检查图像显示层已经成功做了排列，在接口之间的扩散相在邻层之间尚未识别的明显。 4. 薄膜电晶体 全部的 TFTs 上插入全部的刀具中，超过 30多个热电偶，用来进行校准以获得薄膜电晶体的塞贝克系数。 因此，它被发现电晶体的塞贝克系数并非常数和小于的镍（镍铬）线热电偶直径。 这主要是因为有非常大的薄膜电晶体欧姆电阻丝热电偶相比。 塞贝克系数测量欧姆电阻和 TFTs 显示以下指数关系： St =exp() 其中 St是塞贝克系数和 R的 TFT在的总电阻，这种关系表明，各 TFT欧姆电阻应该在切削实验之前被测量，因为沉积条件影响沉积薄膜的片电阻。 5. 实验装置 5 正交切削 实验在一台车床上进行。 力和温度测量系统在之上建立就可以了，如图所示 5力的测量系统由两个压电石英。