外文文献翻译译文---金属氧化物半导体传感器用于空气中活性气体杂质测定(编辑修改稿)

外文文献翻译译文---金属氧化物半导体传感器用于空气中活性气体杂质测定(编辑修改稿)内容摘要：

移 （响应速度）在传感器检测气体的分解 (О3, СlО2)的 乃至于惰性材料表面的理解不足。 在这种情况下，困难在于创造一个集中的过程“一步“，使其传递到传感器。 与此同时， H2， CH4 和 CO 欠反应的问题就得 能有条不紊的 解决，这个时间常数估计为一或几秒 钟 [30]。 实验测量吸附层中发生反应过程的时间常数，气体分子扩散到整个传感层，并在传感器附近更换气体介质的速率。 为了提高传感器的灵敏度，最后两个提到的因素的作用必须越小越好。 在环境检测和控制气体排放过程中测定杂质气体的浓度通常在10 秒后或者几分钟后才能出结果。 在数十时间常数或者几秒或者十几分子内能检测出，这种结果是可以接受的。 在测量 空气中的杂质气体浓度的动态模式下，在不到 1秒的间隔 内 ，传感器不应超过一或几秒钟的时间常数。 由半导体传感器产生的信号通常是目标含杂质的非线性变化，对应的函数是多项式或幂函数 其中 R 是从传感器在目标杂质存在的稳态信号。 R0 是 在没有杂质的传感器信号； c 是在空气中 ppm的气体杂质含量 K(ppm)–x,的和х（无量纲参数），常数取决于对气体的性质和传感器的传感层。 图 3 显示了半导体传感器信号对臭氧浓度不同反应， NO2， Cl2， HCl 和 ClO22，由式（ 1）处理，来自不同的报告 [图 2 的数据显示臭氧的热带气旋的依赖关系；式（ 1）中的参数х和 K 列于表 1]。 图 3 对一些测试气体杂质浓度的各种 传感器灵敏度（信号）进行比较 得出 一些依赖关 系，以及用于测量低浓度 O3， NO2， Cl2， ClO2 和 HCl 的传感器，这些传感器测量结果容易分析。 表 2 列出所有 在信号 /噪声的比等于 2 的气体中杂质的 最小 浓度，以及在С minR/R0 信号比例， 在工作区气体杂质允许的高大浓度 （ .）， 和 日平均浓度空气（ .）（多个传感器采样。 ） [3133] 金属氧化物半导体传感器测定 图 3， 半导体传感器稳态信号的产生与浓度的关系 （一）臭氧，（二）二氧化氮，以及（ c）二氧化氯，氯气和盐酸。 传感器（一）：（ 1）三氧化钨， 250℃（工作温度） [15]（ 2）氧化铟：铁（ 3％）， 420℃ [5， 6]，（ 3）氧化铟，氧化铁 （ 3％）， 240℃ [18]（ 4）三氧化钨， 530℃ [9]。 （二）：（ 1）氧化铟， 84℃ [22]（ 2）三氧化钨， 200℃ [21]。 （ 3）氧化铟， 250℃ [20]，（ 4）氧化钼：氧化铟， 250℃ [20]，（ 5）二氧化锡， 120℃[22]。 及（ c）：（ 1， 2）氧化铟：氧化铁（ 3％），（ 3）氧化铟：铁。 及（ 4）氧化锌，工作温度，℃：（ 1） 250，（ 2） 350，（ 3） 420，（ 4） 400。 目标的实质内容：（ 1）二氧化氯 [25]，（ 2）氯气 [25]，（ 3）氯气，（ 4）盐酸 [28]。 （ R/R0）相关 分析信号。 我们的数据表明。 对于同样的化学成分和气体制作的传感器，不同的作者给出的表达式中的参数 x和 k的值相差很大。 其原因是，传感器感应层参数其制备方法有所不同。 在一个宽泛的浓度范围内，在臭氧环境下一些不同的化学成分的半导体传感器显示出了最高的敏感性。 这种臭氧环境下的高敏感性尤其会在低浓度（ ≤ ）中凸显。 在 ，传感器在臭氧中的敏感性大约超出了 NO2， ClO2， Cl2的。 当浓度大于等于 1 ppm时，传感器对臭氧、二氧化氮，氧化铝的敏感性变得可比较了（以 In2O3为基础的传感器便是个例子）。 以 In2O3或者 ZnO为基础的传感器对 HCL最不敏感。 半导体传感器可以侦测到 的不纯净的 O3， NO2， ClO2， Cl2和 HCl气体。 对传感器检测已知的杂质含量，进行校准的相关实验。 传感器气体杂质 测量 准确的一个先决条件是传感器信号的校准稳定，也就是说在传感器运行时参数х和 K 不变。 这个比例系数 K 表明 了传感器实测浓度 的灵敏度 是统一 的。 对目标物质的浓度传感器信号非线性的依赖使这一参数的的价值不大。 在这方面更为可贵的是在参数 C 中 指数 x， 表征校 准必须在整个研究的浓度范围内。 如果此参数在传感器 的开发周期不变， 将 其中一个目标杂质浓度为传 感 器 的 标 定 特 征 后 ， 后 续 控 制 就 足 够 了。 表 臭氧，二氧化氮，二氧化氯，氯气和盐酸浓度产生的信号方程。 根据图三计算出。 表 ，二氧化氮，氯气，二氧化氯和氯化氢的最低可检查浓度在临界浓度的 R / R 信号 参 数 C 的指数 X提供了传感器传感层与吸附分子之间的相互作用。 对于在真空中的传感器的传感层 ,。