半导体制程简介(ppt61)-经营管理(编辑修改稿)内容摘要：
化學氣相沉積 (a)氣體擴散 (b)反應物被吸附 (c)化學反應與沉積 (d)未參與物脫離 (e)未參與物抽離 主氣流 介面邊界層 微影製程 (Photolithography) 去水烘烤 去除光阻 光阻塗佈 軟烤 曝光 曝光後烘烤 顯影 硬烤 光阻 ◆ 光阻材料及作用 樹脂 : 黏合劑 感光材料 : 光活性強之化合物 溶劑 : 使光阻以液體方式存在 ◆ 分類 : 正光阻 :遇光溶於顯影劑 負光阻 :產生鏈結 ,使結構增強 ,不溶於顯影劑 光阻塗佈 曝光 ◆ 接觸式曝光 : 解析度好 ,但光罩易被污染 ◆ 近接式曝光 : 光罩不被污染 ,但解析度降低 ◆ 投影式曝光 : 解析度佳 ,且光罩不被污染 ,目前工業所用 光罩 曝光概念圖 晶座 晶片 光罩 接觸式 鏡子 光源 過濾器 聚集鏡片 光罩 縮影鏡片 晶片 投影式 蝕刻 (Etching) ◆ 目的 : 除去微影製程中沒被光阻覆蓋部份的薄膜 ◆ 蝕刻技術 : 乾式蝕刻 濕式蝕刻 底材 薄膜 光阻 摻雜 (Doping) ◆ 目的 : 增加導電性 如 N型半導體加入砷離子 ,P型半導體加入硼離子 ◆ 常用方法 擴散法 離子植入法 加速器 離子植入機 離子束 晶片 離子植入法示意圖 IC製程簡圖 (一 ) 晶圓 二氧化矽 (SiO2) 光阻(Photoresist) 氧化反應 ,薄膜沉積 及光阻塗佈 薄膜(Si3N4) 晶圓 光罩 曝光 (A) (B) IC製程簡圖 (二 ) 晶圓 晶圓 二氧化矽 已顯影光阻 蝕刻 去除光阻 顯影 離子植入 晶圓 參雜物 薄膜 晶圓 (C) (D) (E) (F) IC製程簡圖 (三 ) 金屬沉積 微影製程 金屬蝕刻 去除光阻 晶圓 晶圓 晶圓 晶圓 (G) (H) (I) (J) 金屬層 晶圓針測示意圖 探針卡 針測機 晶圓針測流程圖 晶圓生產 Wafer processing 封裝 Packaging 晶圓針測 Circuit Probing 1 晶圓針測 Circuit Probing 2 雷射修補 L。阅读剩余 0%
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