中文--离散的瞬态传热热源在水中垂直矩形通道冷却(编辑修改稿)

中文--离散的瞬态传热热源在水中垂直矩形通道冷却(编辑修改稿)内容摘要：

整体估计值的不确定性的实验数据进行了标准的测量技术。 研究揭示了我国稀土的不确定性、 Nu、 Pel、 傅里叶系数 小于 %,%,%,%,。 这些价值观是微不足道的 ，与基础上不确定性 的 体 质有关。 Flushmounted 芯片的研究 稳态的结果。 确保试验夹具条件下 ， 得到了与稳态结果。 26 人同一图绘制 ， 表 示吻合较好 ， 5%的偏差奴塞尔数 与本文研究 有 价值。 这是为了保证试验 处于良好的工作状态。 线性适合方法用于相关层流流动数据 ， 其平均标准偏差为 15%左右。 凸芯片的研究 由于上游和下游的芯片也有类似的传 热 数据 ， 在不同实验条件下 ， 四个芯片 在 不同的突出物的 平均 数据 ， 对 在 不同凸高度 B ， C 和 m 进行研究 ， 为每个芯片 的试验中找到合适的线性方法。 平均 这些结果 得到了各芯片 数据。 所有 数据 的平方值约为 ， 平均标准差 SD 实验数据大约是 15%。 结论 实验单相瞬态的强制对流传热在一个垂直矩形通道进行过程中瞬态手术 的 研究 来决定 芯片 整体传热系数。 安装和突出的芯片为冲刷的影响 、 热通量、冷却剂流量率和 芯片编号进行了研究。 由 适当的价值的指数 n， 得到了一个独特的价值。 通过 相关方程 ，可 得 加热器 筹码以及全面的数据。 不同的传热之间的数据和突出的芯片 不同。 命名 A=晶片表面接触面积 ， 米 B=突出 高 度，米 C=相关系数 Cp=在恒压比热容、 J /公斤 •K Fo=傅里叶数 g=重力加速度、米 /秒 Hc=高度的芯片 ， 米 h=传热系数、 W / m2K k=流体的导热系数、 W / m•K l=长度的热源、米 n=指数 Nul=奴塞尔数 Q=流量、立方米 /秒 References 1 Xu, G. P., Tso, C. P., and Tou, K. W., 1996, “A Review on Direct Liquid Cooling Channel Flow With SinglePhase for Electronic Systems, ” J. Elec tronic Manufacturing, 6, pp. 115–125. 2 Mudawar, I, 1992, “Directimmersion Cooling for High Power Electronic Chips,” Proc. 1992 Intersociety Conference on Thermal Phenomenon, pp. 74– 84. 3 Mudawar, I., and Maddox, D. E., 1989, “Enhancement of Critical Heat Flux From High Power Microelectronic Heat Sources in a Flow Channel,” Heat Transfer in Electronics1989, R. K. Shah, ed., HTDVol. 111, ASME, New York, pp. 51–58. 4 Incropera, F. P., Kerby, J. S., Moffatt, D. F., and Ramadhyani, S., 1986, “Con vection Heat Transfer from Discrete Heat Sources in a Rectangular Channel,” Int. J. Heat Mass Transfer, 29, pp. 1051–1058. 5 Gersey, C. O., and Mudawar, I., 1993, “Nucleate Boiling and Critical Heat Flux from Protruded Chip Arrays during Flow Boiling,” J. Electron. Packag., 115, pp. 78–88. 6 Ke。