硅晶片清洗工艺流程(编辑修改稿)内容摘要：
硅棒粘胶 硅片切割 切好后的硅片 硅片的清洗 硅片分检 22 硅片上污垢的组成 晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质表面，可能沾污的杂质可归纳为三类： ① 油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物； ② 金属、金属离子及一些无机化合物； ③ 自然氧化层及尘埃及其他颗粒（硅，碳化硅）等。 一、污垢附着力： 静电力，范德华力，化学键等 二、污垢的危害： 造成硅片易发生变花、发蓝、发黑、影响制绒等现象，使硅片不合格。 三、清洗剂的主要成分： 碱（氢氧化钠、氢氧化钾） 表面活性剂 螯合剂 有机溶剂 其他原料 有机物污垢： 利用 表面活性剂的渗透、润湿、乳化 作用，解吸、包裹油脂、环氧树脂、聚乙二醇等有机物颗粒离开硅片表面，并成为悬浮的自由粒子。 同时在硅片表面形成致密的吸附层，防止二次污染，从而保证了硅片表面的清洁度。 清洗机理 金属杂质： A、 由于金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换和硅结合，难以去除。 B、去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 可以将碱金属离子及 Al3＋ 、Fe3＋ 和 Mg2＋ 形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物 C、进一步去除残留的重金属污染（如 Au） M Mz+ + z e 还原 氧化 自然氧化层及大颗粒 A、带来的问题： 接触电阻增大 难实现选择性的 CVD或外延 成为金属杂质源 难以生长金属硅化物 B、无机碱 对硅有腐蚀作用 ， 缓慢溶解原始氧化层，并再氧化去除颗粒 OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ 超声波清洗原理 超声波在清洗液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以。阅读剩余 0%
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