高考物理电磁感应现象楞次定律考点总结(编辑修改稿)内容摘要:

,磁通量增大,由楞次定律可判定流过线圈的电流方向向下,外电路电流由 b流向 a,同时线圈作为电源,下端应为正极,则电容器下极板电势高,带正电. D项正确. 答案: D 5. (2020海南高考 )一长直铁芯上绕有 一固定线圈 M,铁芯右端与一木质 圆柱密接,木质圆柱上套有一闭合 金属环 N, N可在木质圆柱上无摩擦 移动. M连接在如图 9- 1- 8所示 的电路中,其中 R为滑线变阻器, E1 和 E2为直流电源, S为单刀双掷开关. 下列情况中,可观测到 N向左运动的是 ( ) 图 9- 1- 8 A.在 S断开的情况下, S向 a闭合的瞬间 B.在 S断开的情况下, S向 b闭合的瞬间 C.在 S已向 a闭合的情况下,将 R的滑动头向 c端移动时 D.在 S已向 a闭合的情况下,将 R的滑动头向 d端移动时 解析: 由图可知, A、 B中都是通电发生电磁感应,由楞次定律可得,产生的感应电流的磁场要阻碍原磁场的变化,都是产生排斥作用, N将向右运动;而 C、 D在通电情况下移动滑动变阻器,滑动头向 c端移动时,接入电路中的电阻变大,电流变小,由楞次定律可知两者互相吸引, N将向左运动,反之,当滑动头向 d移动时, N将向右运动.故只有 C项正确. 答案: C 一、感应电动势 1.定义: 在 现象中产生的电动势.产生电动势 的那部分导体相当于电源,其电阻相当于电源的内阻. 2.产生条件: 无论电路是否闭合,只要穿过电路的 发 生变化,电路中就一定产生感应电动势. 磁通量 电磁感应 3.感应电流与感应电动势的关系 (1)在等效电源内部电流由 极流向 极. (2)遵守 定律,即 I= . 二、法拉第电磁感应定律 1.法拉第电磁感应定律 (1)内容:电路中感应电动势的大小,跟穿过这一电路的 成正比. (2)公式: . 负 正 闭合电路欧姆 磁通量的变化率 E= n 2.导体切割磁感线的情形 (1)一般情况:运动速度 v和磁感线方向夹角为 θ,则 E= . (2)常见情况:运动速度 v和磁感线方向垂直,则 E= . (3)导体棒在磁场中转动:导体棒以端点为轴,在匀强磁场 中垂直于磁感线方向匀速转动产生感应电动势 E= Bl = (平均速度取中点位置线速度 lω). BLvsinθ BLv Bl2ω E= n 往往用来求 Δt时间内的平均感应电动 势,而 E= Blvsinθ常用来求瞬时电动势,但两公式又是 统一的. 三、自感现象 1.概念: 由于线圈本身的电流发生 而产生的电磁感应 现象. 变化 2.自感电流: 在自感现象中产生的感应电流.总是 原 电流的变化. 阻碍 3.自感电动势: 在 现象中产生的感应电动势. (1)大小表达式: E= .(其中 为电流变化率, L为自感 系数 ) (2)自感系数 ① 影响因素: 、 、 . ② 单位:亨利 (H); 1 H= mH= μH. 自感 L 线圈匝数 横截面积 有无铁芯 103 106 四、涡流 1.概念: 发生电磁感应时,导体中产生的像水的旋涡样的 . 感应电流 2.产生原因: 变化的电流产生 ,激发出 , 形成感应电流. 变化的磁场 感生电场 1.感应电动势的大小决定于穿过回路的磁通量的变化率 , 而与磁通量 Φ、磁通量的变化量 ΔΦ的大小没有必然联 系. 2.磁通量的变化率 是 Φ- t图象上某点切线的斜率. 3.若 恒定,则 E不变.用 E= n 所求的感应电动势为整 个回路的感应电动势,而不是回路中某部分导体的电动势. 4.磁通量的变化常由 B的变化或 S的变化两种情况引起. (1)当 ΔΦ仅由 B的变化引起时, E= nS . (2)当 ΔΦ仅由 S的变化引起时, E= nB . 1. Φ很大, 可能很小, Φ很小, 可能很大,感应电 动势的大小由 决定. 2.计算通过导体截面积的电荷量时,要用电流或电动势的 平均值.即 q= Δt= Δt= , q大小与 ΔΦ有关. 1.下列说法正确的是 ( ) A.线圈中磁通量变化越大,线圈中产生的感应电 动势一定越大 B.线圈中的磁通量越大,线圈中产生的感应电动 势一定越大 C.线圈处在磁场越强的位置,线圈中产生的感应 电动势一定越大 D.线圈中磁通量变化得越快,线圈中产生的感应 电动势越大 解析: A、 B两项显然违背法拉第电磁感应定律内容.对于C项,磁感应强度越大,线圈的磁通量不一定大, ΔΦ也不一定大, 更不一定大,故 C错.只有 D项,磁通量变化得快,即 大,由于 E= n 可知,选项 D正确. 答案: D 1.适用范围:该公式只适用于导体切割磁感线运动的情况. 2.对 “ θ” 的理解:公式 E= Blvsinθ中的 “ θ” 为 B与 v方向间 的夹角,当 θ= 90176。 (即 B⊥ v)时, E= BLv. 3.对 l的理解:公式 E= Blvsinθ中的 l为有效切割长度,即导体 在与 v垂直的方向上的投影长度,如图 9- 2- 1所示,有效 长度 l分别为: (甲 )图: l= cdsinβ; (乙 )图:沿 v1方向运动时, l= MN 沿 v2方向运动时, l= 0; (丙 )图:沿 v1方向运动时, l= R 沿 v2方向运动时, l= 0 沿。
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