hdb╱yd003－2000单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准及编制说明(编辑修改稿)

hdb╱yd003－2000单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准及编制说明(编辑修改稿)内容摘要：

单晶硅抛光片品质规格： 单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。 背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。 （ 2）加工工艺知识 多晶硅加工成单晶 硅棒： 多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： CZ（ Czochralski）法 FZ（ FloatZone Technique）法 目前超过 98％的电子元件材料全部使用单晶硅。 其中用 CZ 法占了约85％，其他部份则是由浮融法 FZ 生长法。 CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。 而 FZ 法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。 CZ 法所以比 FZ 法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。 另外一个原因是 CZ法比 FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 目前国内主要采用 CZ 法 CZ 法主要设备： CZ 生长炉 CZ 法生长炉的组成元件可分成四部分 （ 1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁 （ 2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件 （ 3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀 （ 4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统 加工工艺： 加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长 （ 1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N 或 P 型而定。 杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （ 2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（ 1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （ 3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。 由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。 缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小 （ 46mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （ 4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （ 5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负 2mm 之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。 单。