负反馈放大器电路的设计报告书(编辑修改稿)

负反馈放大器电路的设计报告书(编辑修改稿)内容摘要：

+（ LPU / LR ′ )=1+( 1)= minCCV = minCU + LPU + 3ER  3EI = 1++2= 式中， ULP 是输出负载的电压峰值。 为了留有余量，取 3EI =,Vcc=12v；由此可以求出 333 EEE IRU  ==7V. ② .确定 31BR 及 32BR。 为了计算 31BR 及 32BR ，首先要求出 3BU 及 3BI ，由图 可知， 3BU = 33 BEE UU  =7+=。 选用 3 =50 的管子，则 333  CB II ==70 A，选用 RBI =（ 5～ 10） 3BI =~,为了提高本级输入电阻，取 ，则得 31BR = 3BU / RBI =32BR =（ CCV 3BU ） / RBI =()/= 取 32BR =13KΩ，由此可以求出输出级对第二级的等效负载电阻约为 负反馈放大器电路的设计报告 共 20 页 负反馈放大电路的设计 第 8 页 RL2 = 3ir = 32BR ∥ 31BR ∥ (1+ 3 ) 39。 LR =13∥ 22∥ (51) 3ber 的影响。 ③ .确定 2C 及 3C ，由于有三级电容耦合，根据多级放大器下限截止频率的计算公式 fL = fff 2L32L22L1  假设每级下限频率相同，则各级的下限频率应为 f39。 L = 15 Hz 为了留有余地， 忽略第二级的输出电阻（因尚未标出），则 2C （ 3～ 10） L239。 L R21f （ ～ ）  610 （ ～ ） F 因此，可选用 10 F 电解电容器。 同理，忽略射极输出器的输出电阻，则 3C （ 3～ 10） L239。 L R21f （ ～ ）  610 （ ～ ） F 因此，可选用 100 F 的电解电容器。 （ 2）双管放大单元电路的计算： ①确定第二级的电路 参数。 为了稳定放大倍数，在电路中引入 ,RF2 如图 所示，一般取几十欧至几负反馈放大器电路的设计报告 共 20 页 负反馈放大电路的设计 第 9 页 百欧。 由于希望这一级的电压放大倍数大些，故取较小的 F2R =51Ω，由此可求出这级的电压放大倍数为 u2A =22C2*2 )1( RFbe Rr   ， =F2be 2239。 C2be 22F2be 2239。 C2be2Rr11RrRr111r R  选 E2I =1mA， 2 =50，则    6 3 )150(3 0 0IU1rr E2E2 T2bb2b e 2 39。  又由于预先规定了 { 39。 A,51R,40AC2u2F2u2 的公式则得代入 由此可以解得 C239。 R。 再利用 C239。 R = C239。 R ∥ L2R 代入 L2R =， 则 =C2  选 CE2U =3V ， C2I =1mA, 则由 Vcc=   C E 2E2F2C2C2 URRRI  可得3)R0 5 (112 E2  由此可以得出。 取  ,1 5 E2E2 第二级的输入电阻可以计算如下    2 3 5 F22be 2i2  负反馈放大器电路的设计报告 共 20 页 负反馈放大电路的设计 第 10 页 ②确定第 1级的电路参数。 电路如图 所示。 为了提高输入电阻而又不致使放大倍数太低，应取 E1I 0 5 mA，并选 1 =50，则 be1r = 39。 be1r +（ 1+ 1 ）E1TIU =300+（ 50+1） 5026  95K2 利用同样的原则，可得 39。 c1b e 11F11b e 1c139。 1u1 RrR)1(r RA    F1be11 Rr11 为了获得高输入电阻，而且希望 u1A 也不要太小，并与第二级的阻值一致以减少元器件的种类，取51RF1 ，代入 30Au1 ，可求得  3K3R c139。 ，再利用 i2c1c139。 r//RR  ，求出 15KRc1。 为了计算 E1R ，选 1VUE1 ，则有 1)RR(I E1F1E1  负反馈放大器电路的设计报告 共 20 页 负反馈放大电路的设计 第 11 页 得出 95105050 1RI 1R F1E1E1  K 选 2KRE1。 为了计算 B1R ，可先求出 A100 1 m A050 50II 1c1B1   由此可得 51010 701122I UUR B1 B1E2B1   ）（K 选 51K。 为了确定去耦电阻 1R ，需先求出 9 5 V2URIUU B E 2F2E2R E 2c1  再利用 ），可求得（ｃ c111ccc1 RRIVU   1K31 ，取 1R 为 3K3。 为了减 少元器件的种类， 1C 选用 10 F ， F100CC E2E1 选用及 ，均为电解电容。 由下限频率 L可以验证F11B11L R//RC1  ，2E1b e 2F2E2LRr。