简易窗帘自动开闭电路_课程设计(编辑修改稿)

简易窗帘自动开闭电路_课程设计(编辑修改稿)内容摘要：

基本工作原理就是充电放电， c、 当然还有整流、振荡以及其它的作用。 另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型 主要是由电极和绝缘介质决定的。 在计算机系统的主板、插卡、电源的电路中，应用了电解电容、纸介电容和瓷介电容等几类电容，并以 电解电容为主。 纸介电容是由两层正负锡箔电极和一层夹在锡箔中间的绝缘蜡纸组成，并拆叠成扁体长方形。 额定电压一般在 63V～ 250V之间，容量较小，基本上是 pF(皮法 )数量级。 现代纸介电容由于采用了硬塑外壳和树脂密封包装，不易老化，又因为它们基本工作在低压区 ,且耐压值相对较高，所以损坏的可能性较小。 万一遭到电损坏，一般症状为电容外表发热。 瓷介电容是在一块瓷片的两边涂上金属电极而成，普遍为扁圆形。 其电容量较小，都在 pμF(皮微法 )数量级。 又因为绝缘介质是较厚瓷片，所以额定电压一般在 1～ 3kV左右，很难会被电损坏，一般只会出 11 现机械破损。 在计算机系统中应用极少，每个电路板中分别只有 2～ 4枚左右。 电解电容的结构与纸介电容相似，不同的是作为电极的两种金属箔不同 (所以在电解电容上有正负极之分，且一般只标明负极 )，两电极金属箔与纸介质卷成圆柱形后，装在盛有电解液的圆形铝桶中封闭起来。 因此，如若电容器漏电，就容易引起电解液发热，从而出现外壳鼓起或爆裂现象。 电解电容都是圆柱形 (图 1)，体积大而容量大，在电容器上所 标明的参数一般有电容量 (单位 :微法 )、额定电压 (单位 :伏特 )，以及最高工作温度 (单位 :℃ )。 其中，耐压值一般在几伏特～几百伏特之间，容量一般在几微法～几千微法之间，最高工作 温度一般为 85℃～ 105℃。 指明电解电容的最高工作温度，就是针对其电解液受热后易膨胀这一特点的。 所以，电解电容出现外壳鼓起或爆裂，并非只有漏电才出现，工作环境温度过高同样也会出现。 总结以上，可以得出它的以下作用： ，在直流电路中电容器一般起隔断直流 的作用。 ，是储能元件。 ；在电子电路中是获得振荡、滤波、相移、旁路、耦合等作用的主要元件。 ,所以要并电容这容性负载才能使电网平衡 . ，把干扰脉冲通过电容接地（在这次要作用是隔直 —电路中的电位关系）；交流电路中也有这样通过电容接地的，一般容量较小，也是抗干扰和电位隔离作用 此电路中应选用 C C4和 C5均选用耐压值为 25V的铝电解电容器； C C3选用涤纶 电容器或独石电容器。 三、 二极管 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（ Ge管）和硅二极管（ Si管）。 根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。 按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个 “PN结 ”。 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 12 图七、二极管的样子 稳压二极管 (又叫齐纳二极管 )它的电路符号是 :此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件 .在这临界击穿点上 ,反向电阻降低到一个 很少的数值 ,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定 ,稳压二极管是根据击穿电压来分档的 ,因为这种特性 ,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用 .其 伏安特性见图 1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用 ,通过串 联就可获得更多的稳定电压 . 晶体二极管为一个由 p型半导体和 n型半导体形成的 pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。 当不存在外加电压时，由于 pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。 当外加的反向电压高到一定程度时， pn结空间电荷层中的电场强度达 到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 所以此电路中应选用 VDl和 VD2均选用 1N4007型硅整流二极管； VS选用 1W、 12V硅稳压二极管。 四、晶体管 它是三极管的特种，在这个电路中光敏三极管是最重要的部件之一，下面对它进行一个详细的介绍， 13 图八、三极管外型 （一） 三极管的结构和分类 其共同特征就是具有三个电极，这就是 “三极管 ”简称的来历。 通俗来讲，三极管内部为由 P型半导体和 N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为 NPN型和 PNP型两 大类。 上述三层结构即为三极管的三个区 , 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为 N型或 P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。 三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。 三个区各自引出三个电极，分别为基极（ b） 、发射极（ e）和集电极（ c）。 ，三层结构可以形成两个 PN结，分别称为发射结和集电结。 三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。 三极管内部结构中有两个具有单向导电性的 PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的 出现促使了电子技术的飞跃发展。 （二） 三极管的电流放大作用 直流电压源 Vcc应大于 Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。 改变可调电阻 Rb，基极电流 IB，集电极电流 Ic 和发射极电流 IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：。