微带线计算器的研究与开发毕业设计论文(编辑修改稿)内容摘要:
并依赖于基片厚度 d 和导体宽度 W。 1) 微带线是一根带状导 (信号线 ), 与地平面之间用一种电介质隔离开。 如果线的厚度、宽度以及与地平面之间的距离是可控制的,则它的特性阻抗也是可以控制的。 2) 带状线是一条置于两层导电平面之间的电介质中间的铜带线。 如果线的厚度和宽度、介质的介电常数以及两层导电平面间的距离是可控的,那么线的特性阻抗也是可控的。 3) 单位长度微带线的传输延迟时间,仅仅取 决于介电常数而与线的宽度或间隔无关。 常熟理工毕业设计(论文) 10 4) 微带线速度 快 ,抗干扰能力弱,带状线速度慢些,抗干扰能力强些。 5) 通常同样的介质条件微带线的损耗小(线宽),带状线的损耗大(线细,有过孔)。 本章主要介绍了微带线的一些基本知识,先介绍了微带线的定义结构及特点,然后重点介绍了微带线的传输模式,微带线与带状线不同,微带线传输的是准 TEM 模,本章也详细解释了这个原因,这个重要特点对微带线的研究非常关键,关系到微带线的一些特性参量的计算,下一章就会介绍。 另外还比较了微带线和带状线,这两个重要的传输线的 区别,列出了几个重要区别。 常熟理工毕业设计(论文) 11 3 微带线的主要参数 [5] 微带线的有效介电常数可以解释为一个均匀煤质的介电常数, e = 21rWdr 121 12 1 ( ) 这个均匀煤质取代了微带线的空气和电介质区域,如图所示。 于是相速和传播常数由式( )和式( )给出。 特性阻抗 我们假定已形成的线路导体的厚度 t 与基片的厚度 h 相比可以忽略不计( t/h)。 在这种情况下,我们能够利用只与线路尺寸( w 和 h)和介电常数 r 有关的公式。 它们可以分为两个应用区域,该区域的划分依比值 w/h 大于还是小于 1而定。 hWWhZ e w/h 1 ( )d W e 图 31 准 TEM 微带线的等效几何结构,其中厚度为 d,相对介电常数为 r 的电介质被相对有效介电常数为 e 的均匀煤质取代 常熟理工毕业设计(论文) 12 221 12 1 hWW hrre ( ) 11200 hWhWZ e w/h 1 ( ) 211212 12 1 Whrre ( ) 当导体带厚度 t 0 时,可等效为导体带宽度为 ew ,修正公式为( th, tw/2) : tWhthWthhthWhW e4ln12ln1 2121hWhW ( ) 微带线电路的设计通常是给定 0Z 和 r ,要计算导体带宽度 W。 此时可由上式得到的综合公式: rrrAABBBeehW2112ln12282 22hWhW ( ) 式中 A= rrrrZ 160 0 ( ) B=rZ 02377 ( ) 衰减常数表示微带 的损耗 ,包括导体损耗、介质损耗和辐射损耗。 其衰减常数分别用 rdc , . 来表示。 当微带基片的相对介电常数 r 较大,以及横截面尺寸 hw 比值较大时,辐射损耗可以忽略不计,将微带线的总衰减表示为: dcdcL PPPPPPPL )(2 1221 000 ( ) 常熟理工毕业设计(论文) 13 上式中, 0P 为行波传输时微带线的传输功率; cP 为单位长度介质损耗功率;dP 为单位长度导体损耗功率。 导体损耗 导体损耗:高频趋附效应引起的导带和接地板上非理想导体的欧姆损耗,由于微带线横截面尺寸远小于波导和同轴线,导体损耗也比较大,是微带线的主要组成部分 导体损耗的特点: 基片的厚度 h 减小,两导体之间的磁力线密度增大,损耗将增加。 导体表面的光洁度下降,或导体的电导率 减小,损耗将增加。 工作频率升高,微带线的损耗将增加。 微带线行波状态下的传输功率定义为: 020 2121 ZIIVP ( ) 单位长度的导体损耗功率定义为: 0221 RIPC ( ) 式中的 0R 是微带线的单位长度导体的等效欧姆电阻,因此 000 22 ZRPPcc ( ) 另一种估算导体损耗是用“特性阻抗微扰法” ,得到: nZZRc 000240 ( ) 其中, n 是导体单位法向量。 这个公式的推导很复杂,其中等效分布电阻 0R的值过程也是极其复杂的。 介质损耗 介质损耗:实际介质在交变场作用下,介质分子交替极化和晶格来回碰撞而产生的介质热 损耗。 在毫米波段内,这部分损耗将加剧。 d 比导体损耗小很多 常熟理工毕业设计(论文) 14 设电场全处在介质基片上,其中介质基片的磁导率为 0 ,介电常数为 ,电导率为 。 根据玻印廷定理,功率可表示为: SdESdHEP 2*0 21])R e[ (21 ( ) 其中 为 TEM波的波阻抗, 即 = 0 单位长度介质损耗功率为: dSEL dVEEP d 2* 2121 ( ) 由式子( )和( )得到: d = kwwpp ed 2t a n)(222 000 ( ) 其中, etan 为介质损耗角正切,表示为: etan = )/( w ; k为传输线横电磁波的相位常数,表示为: gwwk /2 , g 是介质中的波长,因此: mNpged /tan ( ) 通常我们写成 : mdBged /ta ( ) 但是微带线是部分填充介质的传输线,所以,其介质损耗比介质填充时要低,其修正结果为: d =geerre tan11 ( ) 当工作在 10GHz 以下时,微带线的导体损耗比介质损耗要大得多,求解微带的导体损耗最常用的是“增量电感法“。 以介质损耗较大的 96%氧化铝瓷为介质基片的 50Ω微带线为例,微带基片 厚度 h=,导体材料是金,可以计算出 10GHz 以下微带线的介质损耗为 d 。 而计算的 10GHz 以下的导体损耗 c =。 可以看出 c 比 d 约大 6 倍。 如果选用 %的氧化铝瓷常熟理工毕业设计(论文) 15 做为介质基片,则 c 比 d 约大 36 倍,所以与 c 相比, d 是可以忽略的。 辐射损耗 辐射损耗:由导带两侧半开放性引起的,其相应的辐射衰减常数为 r ,其特点: 导体带的宽度 W 越小,微带线的辐射损耗越大 基片的介电常数大,辐射损耗小 辐射损耗的降低可以减少微带线的横截面来实现,但是这种方法也只有在线的不均匀点才比较明显,其理论分析往往比较复杂。 在工程应用上, 为避免辐射和减少衰减,以及防止对其他电路的影响,常常将微带电路封装在金属屏蔽盒中。 微带线的波导波长也称为带内波长 , 即 eg 0 ( ) 结论: 微带线的波导波长与有效介电常数 e 有关 , 也就是与 w/h 有关 , 亦即与特性阻抗 Z0有关。 对同一工作频率 , 不同特性阻抗的微带线有不同的波导波长。 微带线的色散特性 [6] 色散是指电磁波的 传播速度随其频率变化而变化的现象。 微带线中传播的真正模式是一种 TE模和 TM模组成的混合模式。 这种混合模式能在任何频率下传播,但是它是色散的。 频率较低时,混合模就趋近于 TEM模。 因而微带线中传播的模式可近似地看成 TEM 模,或称它为准 TEM 模。 但在较高的频率下,当传输线尺寸远大于四分之一波长时,就必须考虑微带线的色散性质,此时高次模已经存在 在微带电路中,高次波型主要有两种:波导波型和表面波型。 前者存在于金常熟理工毕业设计(论文) 16 属带条和接地板之间,后者则只要在接地板上放一块介质基片即能存在。 ( 1) 波导波型 对于每一种波导,都存在一个截止 波长 c。 只有当工作波长小于 c 时,该波型才能传播,否则很快衰减。 而 c 则取决于微带线的横截面尺寸、几何形状及基片的介电常数。 微带线可以看成是宽度为 w、高度为 h、以相对介电常数为 r 的介质填充的平行波导,因此波导模有 TE 模和 TM模两种。 TE 模的最低次模是 T 10E 模,其电场只有横向分量,磁场则存在纵向 分量,由于平板波导两侧无短路金属板,相当于开路,因此在两边为电场波腹,平板中心为电场波节,这与金属矩形波导 T 10E模的场分布不同。 这种波型的截止波长恰等于在横截面方向存在半个驻波的波长,即: )(2 2 hWWrrc 00tt ( ) 只有当工作波长小于此值时,该波型才能存在且沿直线传播。 微带线中最低的 TM 模是 T 01M 模,其波型的情况是磁场只有横向分量,电场则具有纵向分量和横向分量,电场横向分量在高度 h的两端是波腹,在 h/2 中心处是波节;而纵向分量位置恰恰相反。 此波型的截止波长也可以按 01TM 类型的方法来求,即在 h的高度上恰好存在半个驻波时相应的波长即为其截止波长,即: rTMc h 201 ( ) 为了抑制波导模,微带线的最短工作波长 min 应满足: min max 0110 , TMcTMc ( ) ( 2)表面波型 表面波就是沿介质表面传输的波。 其主要电磁能量集中于金属接地板以上的介质基片中,而在介质薄层外沿垂直介质表面方向按指数规律衰减,电磁场沿介常熟理工毕业设计(论文) 17 质表面方向传输。 当介电常数大于空气介电常数时,表面波的大部分电磁能量集中于导体和介质板附近。 表面波同样也分为 TE波和 TM 波两种。 每种波型都有其相应 的截止波长,与介质板厚度 h 及其相对介电常数 re 有关。 其中 TE波的截止频率为: 14 rTEe h ncf ( ) TM波的截止频率为: 12 rTMc h ncf ( ) 上两式中 c为光速,最低的 TM 型表面波的截止长度为:。微带线计算器的研究与开发毕业设计论文(编辑修改稿)
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