基于单片机的电量检测(编辑修改稿)

基于单片机的电量检测(编辑修改稿)内容摘要：

10） 由此可将 i 和 i 作出含有 p、 q 项的分解。 如果不做 αβ 变换，在有中线电流的情况下，三相有 3 个独立电流分量 iiba、 和 ic ，就不能唯一确定地将三相电流作出含有 p、 q 项的分解，这就是为什么要作 αβ 变换来 分析的一个原因。 定义 三相电路瞬时有功电流 ip 和瞬时无功电流 iq 分别为矢量 i 在矢量 u 及其法线上的投影，即 ic osip  （ 11a） isiniq  （ 11b） 式中 iu  5 定义 α 、 β 相的瞬时无功电流 ii qq  、 （瞬时有功电流 ii qq  、 ），为三相电路瞬时无功电流 iq （瞬时有功电流 ip ）分别在（ α 、 β ）轴上的投影，即 瞬时有功电流的 α 分量 puco uu uiuii pupap 22s （ 12a） 瞬时有功电流的 β 分量 pun uuuiuiipupp 22si   （ 12b） 瞬时无功电流的 α 分量 qun uuuiuiiquq 22q si   （ 12c） 瞬时无功电流的 β 分量 qu uu uiuii quq 22q c o s     （ 12d） 传统意义上的有功功率、无功功率等是在平均值基础上定义的，而瞬时无功功率理论中的概念，都是在瞬时值的基础上定义的。 瞬时无功功率理论中的概念，在形式上和传统理论非常相似，可以看成是传统理论的推广和延伸。 下面分析三相对称电压和电流均为正弦波时的情况，设三相电压、电流分别为 tUu ma s in （ 13a） 6  3/2s in   tUu mb （ 13b）  3/2s in   tUu mc （ 13c）    tIi ma s in （ 14a）  3/2s in   tIi mb （ 14b）  3/2s in   tIi mc （ 14c） 利用式（ 1）和式（ 2）对上两式进行变换，可得 tcotUm ss in2uu （ 15）   tcotIm ss in2ii （ 16） 式中 UUmm 232  ， IImm 232  把式中（ 15）和式（ 16）代入式（ 7）中可得 s23 m cop IU m （ 17a） s in23 m IU mp  （ 17b） 令 2mUU  、 2mII  分别为相电压和相电流的均方根值，得 s3UI cop  （ 18） s in3UIq  7 从式（ 18）中可以看出，在三相电压和电流均为正弦波时， p、 q 为常数，且其值和按传统理论算出的有功功率 p 和无功功率 q 完全相同。 把式（ 15）和式（ 16）代入式（ 12）中可得 α 相的瞬时有功电流和瞬时无功电流，即 tIimp  s i nc os2 （ 19）  2s i ns i n2 tIi mq 比较式（ 19）和式（ 16）可以看出， α 相的瞬时有功电流和瞬时无功电流表达式与传统功率理论的瞬时值表达式完全相同。 对于 β 相及三相中的 a、 b、 c 各相也能得到同样的结论。 由上面的分析不难看出，瞬时无功功率理论包容了传统的无功功率理论，比传统理论有更大的适用范 围。 综上所述，不难看出这种测量法法较实用，所以应该选择这种方法。 3 霍尔电量传感器 概述 霍尔 传感器 是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。 霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（ ， 1855— 1938）于 1879 年在研究金属的导电机构时发现的。 后来发现半导体、导 电流 体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种 霍尔元件 ，广泛地应用于工业自动化技术、 检测技术 及信息处理等方面。 霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。 通过霍尔效应实验测 8 定的 霍尔系数 ，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及 载流子迁移率 等重要参数。 霍尔传感器分为线型霍尔传感器和开关型霍尔传。