第十四讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路(编辑修改稿)内容摘要:

由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 Cμ:集电结电容 rc:集电区体电阻 因多子浓度高而阻值小 因面积大而阻值小 混合 π 模型: 忽略小电阻,考虑集电极电流的受控关系 gm为跨导,它不随信号频率的变化而变。 为什么引入参数 gm。 因在放大区 iC几乎仅决定于 iB而阻值大 因在放大区承受反向电压而阻值大 混合 π 模型:忽略大电阻的分流 Cμ连接了输入回路和输出回路,引入了反馈,信号传递有两个方向,使电路的分析复杂化。 混合 π模型的单向化( 即 使信号单向传递) 39。 Lmμeb39。 μceeb39。 μ )1(RgkXUkXUUICCC39。 Lmμμeb39。 μ39。 1 RgXIUX CCC  μ39。 Lm39。 μ )1( CRgC μ39。 39。 μ1 CkkC 同理可得,等效变换后电流不变 晶体管简化的高频等效电路 39。 μπ39。 πEQT0eb39。 μb b 39。 )1(CCCIUrCr 可从手册查得、TEQeb39。 0meb39。 bmeb39。 mb0 UIrgrIgUgI 。 如何得到模型中的参数。 为什么不考虑 39。 39。 μ C=。 2. 电流放大倍。
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