16数据寻址方式(编辑修改稿)内容摘要:
ld *ar1+,a add *ar1+,a add *ar1+,a add *ar1+,a add *ar1+,a stl a,@y start: stm 0,swwsr stm x,ar1 rpt 4 mvpd table,*ar1+。 初始化数据。 1111111111normal STM x,AR1。 将 X送到 AR1中 LD *AR1+,A。 (( AR1)) → A ,AR1=AR1+1 ADD *AR1+,A。 (( AR1)) +( A)→A ADD *AR1+,A。 +X3 ADD *AR1,A。 +X4 STL A,*(y)。 A中的低位数送到 y中。 1111111111111111。 2222222222rpt stm x,ar1 ld *ar1+,a rpt 3 add *ar1+,a stl a,*(y)。 222222222222 。 3333 add 1 3 5 STM x,AR1 STM 2,AR0 ld *ar1+0,a add *ar1+0,a add *ar1+0,a stl a,*(y)。 3333 xh: b xh。 空循环 例:求 Y=X2+X4+X6+X8+X10 .bss x,10 ;给变量 x保留 10个空间 .bss y,1 ;给变量 y保留 1个空间 .text ;程序开始 STM X+1,AR1 STM 2,AR0 LD *AR1+0,A ; X2→A ADD *AR1+0,A ; X2+X4→A ADD *AR1+0,A ; X2+X4+X6→A ADD *AR1+0,A ; X2+X4+X6+X8→A ADD *AR1+0,A ; X2+X4+X6+X8+X10→A STL A,*(Y) ; Y为数据存储器的绝对地址 1 3 5和 2 4 6这样的都容易寻址 ,如何寻址 0 8 4 12 2 10 14 1 9 5 13 3 11 7 15 ?? 位码倒序寻址功能: p36 2 位码倒序寻址功能提高了 FFT的运算速度和在程序中使用存储器的效率。 在这种方式中, AR0存放的整数是 FFT点数 N的一半,执行 *ARX+0B时,进位是从左到右。 例: N=8,AR0=N/2=4, AR2= 8H *AR2+0B ; C *AR2+0B ; A。16数据寻址方式(编辑修改稿)
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量分数为多少。 训练 1 . 20g黄铜( CuZn合金)与 100g稀硫酸在烧杯中恰好完全反应,反应后测得烧杯中剩余物的总质量为 . 求: ( 1)反应生成氢气的质量为 g。 ( 2)稀硫酸的溶质的质量分数(计算结果精确到 %) ( 1) ( 2) % 训练 2 . 质量分数为 20%的氢氧化钠溶液 40g与一定质量的稀盐酸恰好完全反应,请计算: (1)生成氯化钠的质量是多少 ?
)在点 (1, f(1))处的切线的斜率为 3e. (2)f′(x)= [x2+ (a+ 2)x- 2a2+ 4a]ex. 令 f′(x)= 0,解得 x=- 2a或 x= a- 2. 由 a≠ 知,- 2a≠a- 2. 以下分两种情况讨论 . (1)若 a ,则- 2aa- 2. 当 x变化时, f′(x), f(x)的变化情况如下表: x (- ∞,- 2a) - 2a (-, a- 2)
线绕电阻 、 精密合金箔电阻等。 1. 按材料分类 薄膜型 电阻:在玻璃或陶瓷基体上沉积一层电阻薄膜 , 膜厚一般在几微米以下。 薄膜材料一般有金属膜 、 碳膜 、 化学沉积膜 、 金属氧化膜等。 合成型 电阻:电阻体本身由导电颗粒和有机( 或无机 ) 粘接剂混合而成 , 可制成薄膜和实芯两种 , 常见有合成膜电阻 、 实芯电阻。 2. 按用途分类 电阻按用途可分为八类:通用型电阻 、精密型电阻
bBBbe VVv m a x相交于 A点 Q点为转移特性中斜率为 折线的延长线与 坐标位置相交的点。 cg BBV090tCCcmCCce VVVv 090c o sBBbBBbe VVVv 090c o sQBZBBcC IVVgi )(QI虚拟工作点电流 虚拟工作点 Q 在丙类工作状态时, 实际上并不存在,仅是用来确定 Q的位置。 QI 00t A点