300mm硅外延片表面颗粒缺陷的研究毕业论文(编辑修改稿)

300mm硅外延片表面颗粒缺陷的研究毕业论文(编辑修改稿)内容摘要：

6mm的单晶 硅。 晶体 熔体界面的形状对晶体内部缺陷行为的影响 通过试验加以研究。 为得到各种形状的交界面，试验通过将坩埚放置在某固定加热器和另外多个加热器的不同相对位置上，获得各种不同的热工况以改变熔融对流。 随着自然对流的增 强，以及 对无缺陷晶体的 提拉 临界速度的增长，晶体 熔体界面变的更加凹陷（相对晶体更加凸起）。 随后通过数值分析方法分析了试验数据。 关键词 ： ， A2：缺陷， ， ， Effective simulation of the effect of a transverse magic field(TMF) in Czochralski Silicon growth 直拉 法硅晶生长过程中横向磁场作用的有效模拟 Yoan Collet a， OlivierMagotte a， NathalieVandenBogaert a， RomanRolinsky a， FabriceLoix a， Matthias Jacot a， VincentRegnier a， JeanMarieMarchal a， b， Francois Dupret a， c， n a FEMAGSoft SACompany， MtStGuibert， Belgium b CAE Consulting， LouvainlaNeuve， Belgium c CESAME ， Universite180。 catholique deLouvain， EulerBuilding， B1348LouvainlaNeuve， Belgium 摘要 ： 本文通过一种原创的数值技术，极有效的模拟了 某大体积硅晶体在横向磁场作用下，在 直拉 法晶体生长过程中的整体热传导和 3D熔融流情况。 解决了包括某工业级别熔炉的模拟在内的多个问题，同时 与 既有文献资料做了成功比对。 位于晶体和坩埚壁之间的哈特曼层和平行层经由文中所示方法得以捕获，并被证明 在求解迭代搜寻过程中起重要作用，并强烈影响着氧气向晶体内部的传输。 关键词 ： ， ， ， 法， 直拉 法， Fixedpoint convergence of modular, steadystate heat transfer models coupling multiple scales and phenomena for melt–crystal growth 耦合熔晶生长中多尺度、现象的模块化、稳态热传模型的固定点法收敛性分析 Andrew Yeckel, Arun Pandy and Jeffrey J. Derby Department of Chemical Engineering and Materials Science and Minnesota Superputer Institute, University of Minnesota, Minneapolis, MN 554550132, . 摘要 ：为耦合两段面向熔晶生长系统中不同尺度和现象的独立的热传代码，文中根据共有 区域边界 ， 引入一段高斯 赛德 尔迭代程序代码块。 总而言之，对于某些问题，因共有边界条件，故可通过模块化设计将既有代码连到一起来解决它们，当面临这种问题时，这种策略因简单易用而极具吸引力。 然而，这种方法常常因全局模型的收敛性困难受限制。 对于稳态非线性热传导模型，固定点迭代法的数学框架被用来评估 代码的收敛行为。 解析形式可描述一维问题的收敛性，并可为更复杂的、二维的模型收敛行为提供参考。 某些具有物理合理性的方法可能会造就永不收敛的算法，说明仅基于物理直觉 的方法对于预测算法的性能并不一定确切的有效。 在许多情况下，沿共 有 模型边界上的流量和温度信息 ，对于建立有效的迭代策略具有重要意义。 关键词 ：熔晶生长，热传递，辐射，传导，对流，耦合模型 Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces 晶体生长熔炉中热传导的全局模拟 F. DUPRET, P. NICODEME, Y. RYCKMANS, P. WOUTERS and M. J. CROCHET Unite de Mecanique Appliquee, Universite Catholique de Louvain, Place du Levant. 2, B1348 LouvainlaNeuve, Belgium 摘要 ：对于熔炉中热场的定量预测，以及对生长过程中熔体 晶体界面位置的预测，要求我们掌握整个熔炉中热传导情况精确的信息。 该问题非常复杂，因为它涉及到对于不同表面间热辐射和组成成分中热传导的精确计算。 辐射热交换的计算，需要基于散射表面假定、显式隐式算法的使用和 Galerkin离散。 模型因对于半透明材料的考虑而变得复杂。 固液界面的形状作为该问题的一个参量，并作为熔融等温线计算出来。 文中使用了锗熔炉和砷化镓熔炉两个例子，用以说明该方法的效率。 Global simulation of the CZ silicon crystal growth upto 400mm in diameter 直拉 法生长 400mm直径 单晶 硅 的 全局模拟 K. Takano*, Y. Shiraishi, J. Matsubara, T. Iida, N. Takase, N. Machida, M. Kuramoto, H. Yamagishi Crystal Technology Department, Super Silicon Crystal Research Institute Corporation, Nakanoya 5551, Annaka, Gunma 3790125, Japan 摘要 ：该工程主要目的在于考察几种数值模拟技术在 400mm单晶硅 生长中的应用。 热区 （ HZ） 的温度分布通过全局的热传递分析计算得到。 晶体内部的热弹性应力通过晶体的温度场计算得出。 熔融对流和氩气流动同时根据全局 热传递分析计算得出。 本文中，我们详述了用于 150mm晶体生长的 18英寸热区构造的设计和试验结果。 该构造还可以扩大至用于 300mm晶体生长的 36英寸热区或者用于 400mm晶体生长的 36英寸热区。 对于每一个热区构造，都进行了全局的热传递数值模拟分析。 这些结果表明，由于对石英坩埚的热损伤，氩气流动模式，以及生长界面的热弹性应力所致的降解，都是热区尺寸的函数 ——热区构造尺寸越大，降解越强烈。 为降低热弹性应力，生长界面的形状应控制的尽量的平缓。 关键词 ： ； ； 法； ； ； Growth of silicon crystal with a diameter of 400mm and weight of 400 kg 直径 400mm重 400kg单晶 硅的生长分析 Y. Shiraishi*, K. Takano, J. Matsubara, T. Iida, N. Takase, N. Machida, M. Kuramoto, H. Yamagishi Crystal Technology Department, Super Silicon Crystal Research Institute Corporation, 5551 Nakanoya, Annaka, Gunma 3790125, Japan 摘要 ： 自 1996年起，我们已开始进行 直径 400mm硅晶体的生长研究，并将其视为继 300mm之后的新一代硅晶片尺寸。 第一代无位错晶体问世于 1998年，两年以后，得益于一种晶体悬挂系统，重达 413kg的史上最重的无位错晶体问世。 本文中，我们展示了大尺寸硅晶体的生长试验研究，以及他们的生长环境，以及400mm硅晶体的晶体特性。 关键词 ： 法； ； Influence of boron concentration on the oxidationinduced stacking fault ring in Czochralski silicon crystals 直拉 法硅 单晶 生长过程中硼浓度对氧化诱生层错环的影响研究 E. Dornberger a, D. Graf a, M. Suhren a, U. Lambert a, P. Wagner a, F. Dupret b, W. von A。