第一章集成电路的基本工艺(编辑修改稿)内容摘要：
N+BL P+ P+ P+ P P 6. 第四次光刻 — N+发射区扩散孔 • 集电极和 N型电阻的接触孔 ,以及外延层的反偏孔。 • Al— N－ Si 欧姆接触： ND≥1019cm3， 去 SiO2— 氧化 涂胶 — 烘烤 掩膜（曝光） 显影 坚膜 — 蚀刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 扩散 SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P N+ 7. 第五次光刻 — 引线接触孔光刻 SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2— 氧化 涂胶 — 烘烤 掩膜（曝光） 显影 坚膜 — 蚀刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 8. 第六次光刻 — 金属化内连线光刻：反刻铝 去 SiO2— 氧化 涂胶 — 烘烤 掩膜（曝光） 显影 坚膜 — 蚀刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 蒸铝 SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 集成电路中双极型晶体管的工艺复合图 横向晶体管剖面图 C B E N P PNP P+ P+ P P 纵向晶体管剖面图 C B E N。阅读剩余 0%
本站所有文章资讯、展示的图片素材等内容均为注册用户上传(部分报媒/平媒内容转载自网络合作媒体)，仅供学习参考。
用户通过本站上传、发布的任何内容的知识产权归属用户或原始著作权人所有。如有侵犯您的版权，请联系我们反馈本站将在三个工作日内改正。