清华大学模拟电子技术第02章半导体二极管及基本电路37页(编辑修改稿)

清华大学模拟电子技术第02章半导体二极管及基本电路37页(编辑修改稿)内容摘要：

当 0＜ V＜ Vth时，正向电流为零， Vth称死区电压或开启电压。 正向区分为两段： 当 V ＞ Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 反向区也分两个区域： 当 VBR＜ V＜ 0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称 反向饱和电流 IS。 当 V≥VBR时，反向电流急剧增加， VBR称为 反向击穿电压。 (2) 反向特性 硅二极管 的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小； 锗二极管 的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 若 |VBR|≥7V时 , 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时 , 则主要是齐纳击穿。 (3) 反向击穿特性 半导体二极管的参数 (1) 最大整流电流 IF (2) 反向击穿电压 VBR (3) 反向电流 IR (4) 正向压降 VF 在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安 (nA)级；锗二极管在微安 (A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。 硅二极管约～ ；锗二极管约 ～。 二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压 VBR。 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 二极管基本电路分析 二极管基本电路分析 二极管模型 正向偏置时： 管压降为 0，电阻也为 0。 反向偏置时： 电流为 0，电阻为 ∞。 当 iD≥1 mA时， vD=。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 3. 折线模型 （实际模型） 4. 小信号模型  20xx mA VVi VVrDthDD)()(26mAImVivrDQDDD DDthD riVV 二极管电路分析 例 1： 求 VDD=10V时，二极管的 电流 ID、电压 VD 值。 解： 1. 理想模型 正向偏置时： 管压降为 0，电阻也为 0。 反向偏置时： 电流为 0，电阻为 ∞。 2. 恒压降模型 mAK VVR VVI DDDD 3. 实际模型  20xx mA VVi VVrDthDDmAKK VVrR VVIDthDDD VKmAVrIVV DDD VV D 0mAKVRVI DDD 110 10 当 iD≥1 mA时， vD=。 VV D  VR Vm vi t 0 Vi VR时，。