igbt的用途及参数和接线

igbt的用途及参数和接线内容摘要：

amp。 mu。 m。 关于不同功率的模块散热器面积的计算，请参阅有关的设计资料。 参数的合理选择参数 的选择一条原则是适当留有余地，这样才能确保长期、可靠、安全地运行。 工作电压 amp。 le。 50%60%，结温 amp。 le。 7080%在这条件下器件是最安全的。 制约因素A、在关断或过载条件下， IC 要处于安全工作区，即小于 2 倍的额定电流值； B、 IGBT 峰值电流是根据 200%的过载和 120%的电流脉动率下来制定的； C、结温一定 150℃以下，指在任何情况下，包括过载时。 具体选用时可查表 2。 A、开通电压 15Vamp。 plusmn。 10%的正栅极电压，可产生完全饱和，而且开关损耗最小，当 12V 时通态损耗加大， 20V 时难以实现过流及短路保护。 B、关断偏压 5 到 15V 目的是出现噪声仍可有效关断，并可减小关断损耗最佳值约为 10V。 C、 IGBT 不适用线性工作，只有极快开关工作时栅极才可加较低 3amp。 mdash。 11V 电压。 D、饱和压降直接关系到通态损耗及结温大小，希望越小越好，但价格就要大。 饱和压降从 amp。 mdash。 以每 amp。 mdash。 为一个等级，从Camp。 rarr。 M十个级。 栅极电阻 Rg它是串接在栅极电路中可见图 4。 目的是改善控制脉冲前沿，后沿的陡度和防止振荡，减小 IGBT集电极电压的尖脉冲 值。 又因 IGBT 的开通或关断是通过栅极电路的充放电来实现的，所以 Rg的值对动态特性产生极大的影响，具体如下述： A、 Rg值小 amp。 mdash。 amp。 mdash。 充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因 dv/dt的误导通。 不足的是承受噪声能力小，易产生寄生振荡，使开通时 di/dt变大，增加逐流二极管（ FWD） 恢复时的浪涌电压，具体值可参见表 4。 B、 Rg值大 amp。 mdash。 amp。 mdash。 性能与上述相反。 栅极驱动的布线对防止潜在振荡，减慢栅极电压上升，减小噪音损耗，降低栅极电压或减小栅极保护电路的效率有较大的影响。 要注意事项如下： A、 将驱动器的输出级和 IGBT之间的寄生电感减至最低。 B、 驱动板和屏蔽栅极驱动电路要正确放置，以防功率电路和控制电路之间的电感耦合。 C、 采用辅助发射极端子连接栅极驱动电路。 D、 当驱动 PCB板和 IGBT控制端子不可能作直接连接时，建议用双股绞线（ 2转 /CM小于 3CM长）或带状线，同轴线。 ，必须按低电感布线，并尽量放置于 IGBT 模块的栅极， 发射极控制端子附近。 F、 由于 IGBT 的开关会使用相互电位改变， PCB板的线条之间彼此不宜太近， 过高的 dv/dt 会由寄生电容产生耦合噪声。 若布线无法避免交叉或平衡时，必须采用屏蔽层，加以保护。 G、要减少各器件之间的寄生电容，避免产生耦合噪声。 H、 用光耦器来作隔离栅极驱动信号，其最小共模抑制比要在。 S，栅极回路除上述外而防止栅极电路出现高压尖峰，一般在 G、 E极间并一个电阻 Rge，再并二只反串的稳压二极管，以使工作更可靠、安全、有效。 Rge值在 10005000欧之间，见图 4。