igbt驱动电路设计方法内容摘要：
，必须注意将装置的过电流跳闸水平设定在该限制值以下。 当 RG为标准门极电阻值 （ Tj=250℃ )时，电流限制最小值为额定电流值的 2倍左右。 根据以上条件 ，选定最适合的门极驱动条件。 IGBT 具有 MOS门极构造，在交换时为了对该门极进行充放电，需要门极电流 (驱动电流 )从中流过。 图 1 表示门极充电电荷量的特性。 门极充电电荷量特性表 示驱动 IGBT 所必要的电荷量，在计算平均驱动电流和驱动电力时使用。 图 2表示驱动电路的原理图和电压电流波形。 驱动电路的原理是通过开关 S1, S2 交替转换正偏压电源和反偏压电源，转换时对门极充放电的电流为驱动电流，图 2中以电流波形所表示的面积 (斜线部分 )与图 1中的充放电电荷量相等。 图 1门极充电电荷量特性 (动态输入特性 ) 图 2驱动电路原理图以及电压电流波形 驱动电流的峰值 IGP可由以下近似式求取。 gGGEGEGP RR VVI （式 1） +VGE正偏压电源电压 VGE反偏压电源电压 RG驱动 电路的门极电阻 Rg模块内部的门极电阻 从门极充电电荷量的特性的 0V开始上升部分的斜度大体上与输入电容 Cies等效，而反偏压领域可以作为这个部分的延长考虑。 因此，驱动电流的平均值 IG，如图 1 所示，可。阅读剩余 0%
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