igbt模块的原理内容摘要：
管模块脱开电路后（或为新购进的模块），可采用测量场效应管子（ MOSFET） 方法来测试了。 MOSFET 的栅阴极间有一个结 电容的存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。 可利用此一特点有效地检测 IGBT 管子的好坏。 方法是：将指针式万用表打到 x10k 档，黑表接 C 极，红表笔接 E 极，此时所测量电阻值近乎无穷大；搭好表笔不动，用手指将 C极与 G极碰一下并拿开，指示由无穷大阻值降为 200k左右；过几十秒钟甚至于更长一点的时间，再测一下 C、 E间电阻（仍是黑表笔接 C 极），仍能保护 200k左右的电阻不变；搭好表笔不动，用手指短接一下 G、 E极， C、 E极之间的电阻又重新变为接近无穷大。 （当然， E 极搭黑笔， C极搭红笔，是一只二极管的正向电阻的阻值了。 如呈开路状态，说明 IGBT 管子也是坏的了。 以下将此一测量过程略去。 ） 实际上，用手指碰一下 C、 G，是给栅、阴结电容充电，拿开手指后，因此电容无放电回路，故电容上的电荷能保持一段时间。 此电容上的充电电压，为正向激励电压，使 IGBT 管子出现微导通， C、 E 之间的电阻减小；第二次用手指短接 G、 E 时，提供了电容的放电通路。阅读剩余 0%
本站所有文章资讯、展示的图片素材等内容均为注册用户上传(部分报媒/平媒内容转载自网络合作媒体)，仅供学习参考。
用户通过本站上传、发布的任何内容的知识产权归属用户或原始著作权人所有。如有侵犯您的版权，请联系我们反馈本站将在三个工作日内改正。