理工科设计报告-调幅半导体收音机(编辑修改稿)内容摘要:

选择 3AG1 型能满足要求,其 CEOI 应该小,静态工作点 CI 的选择不能过大或过小。 CI 大,噪声大; CI 小,噪声小。 但变频增益是随 IC改变的。 典型变频级一般在 ~ 1mA 之间有一个最大值。 统筹考虑, CI 设计在 左右为宜。 本机振荡电压的强弱直接影响到反映管子变频放大能力的跨导,存在着一个最佳本振电压值。 若振荡电压值过小,一旦电池电压下降,就会停振;若过大,在高端会产生寄生振荡,由于管子自给偏压作用,会使管子正常导通时间减 少。 本振电压一般选择在100mV 左右,由于采取的是共基电路,它的输入电阻低,如果本机振荡调谐回路直接并入,会使调谐回路的品质因素降低,振荡减弱,波形变坏,甚至停振。 为提高振荡电路的性能, L3要采取部分接入的方式,使折合到振荡调谐回路的阻抗增加到213 12/)ebN N r(。 L4不能接反,否则变成负反馈,不能起振。 变频级是由一只晶体管 T1 同时起本振和混频作用的自激式变频电路。 本振回路由 L C C C1b 组成,它是互感耦合共基调射式的 LC 振荡电路。 L2抽头是为了减小晶体管的输入阻抗对振荡回路的影响。 本振信号通过耦合电容 C4 从 T1的射极注入,它与输入回路耦合到 T1 管基极的高频调幅信号在 T1 管中混频,由集电极调谐回路(中周)选出二者的差频即 465kHz 的中频信号,然后再将中频信号送入中放电路去放大。 为了提高电路的稳定性,兼顾变频和振荡性能,静态工作电流一般取为 ~6 C 1 VT . 1 2 5 C C u . . 1 2 3 CC U . . . . . . . . 3 L 4 L 河南理工大学课程设计报告 9。 为了保证在电源电压降低时,本机振荡仍能稳定工作,变频级基极偏置电路采用了相应的稳压措施,即利用两只硅二极管 D D2 进行稳压 中频放大、自动增益控制电路 (如图 9所示)。 图 9 中放级电路原理示意 中放级可采用两极单 调谐中频放大。 变频级输出中频调幅波信号由 T3次级送到VT2的基极,进行放大,放大后的中频信号再送到 VT3的基极,由 T5次级输出被放大的信号。 三个中频变压器( T T T5)都应当准确地调谐在 465KHz。 若三个中频变压器的槽路频率参差不齐,不仅灵敏度低,而且选择性差,甚至无法收听。 中频变压器采取降压变压器,其初级线圈 L5要采用部分接入方式(道理同本振调谐电路)见图 10。 8 C + 3 T 4 T 5 T VD 2 VT 3 VT . . . F R 0 t 至功放 0 15 C t 0 + _ CC U . . . . . 河南理工大学课程设计报告 10 图 10 中频变压器接法示意图 这种接法以减少晶体管输出导纳对谐振回路的 影响,初级选取适当的接入系数使晶体管的 输出阻抗 与中频变压器阻抗近似匹配,以获得较大的功率增益;中频变压器初、次级变比以各自负载选取,减小负载对谐振回路的影响。 但选择 L5的接入系数及压降比时,不仅考虑到选择性,还要兼顾到增益和通频带。 两级工作点的选择要有所区别,由于第一级总是带有自动增益控制电路,该级 CI 的 选取要考虑到在功率增益变化比较急剧处,应选的比较小;但 CI 太小,功率增益也太小,整机性能随着电池电压变化时,稳定性就很差。 综合考虑,对于 3AG1 型管选为 左右。 第二级 CI 应考虑充分利用功率增益,则选择功率增益已接近饱和处的 CI 值可选 1mA 左 右。 T5 次级送到检波二极管的中频信号被截去了负半周,变成了正半周的调幅脉动信号,再选择合适的电容量,滤掉残余的中频信号,取出音频成分送到低放级 检波输出的脉动音频信号经 RF、 C8( C8 可选几十微法)滤波得到的直流成分作为自动增益( AGC)电压,使第一中放基极得到反向偏置,当外来信号强弱变化时,自动地稳定中放级的增益。 从图 6 可见,使用的是 PNP 型中放管,需要“ +”的 AGC电压。 检波二极管不能接反,否则 AGC 电压极性变反,达不到自动控制中放管增益的作用,可产生自激、哨叫。 中放级由 T T3 组成两级单调谐中频 选频放大电路。 各中频变压器均调谐于465kHz 的中频频率上,以提高整机的灵敏度、选择性和减小失真。 第一级中放 (T2)加有自动增益控制,以使强、弱台信号得以均衡,维持输出稳定。 中放管采用了硅管,其温度稳定性较好,所以采用了固定偏置电路。 T2管因加有自动增益控制,静态电流不宜过大,一般取 ~ ; T3管主要要提高增益,以提供检波级所必须的功率,故静态电流取得较大些在 ~ 范围。 为了有效地抑制强信号中放级还加了二极管 D3 作为强信号阻尼二次 AGC 控制。 检波回路 经中频放大级放大了的中频信号,由中频变压器送至检波二极管 D4 进行检波。 检波后的残余中频及高次谐波由 C14C13 和 R8组成的 RCπ型滤波电路予以滤除。 音频信号由 C15 耦合到低放级去放大。 电位器 Rw是音量调节电位器兼作电源开关。 检河南理工大学课程设计报告 11 波后的直流成分经 R C8 组成的退耦电路送到 T2的基极作为 AGC 控制之用。 低放级回路 从检波级输出的音频信号,还需要进行放大再送到喇叭。 为了获得较大的增益,前级低频放大通常选用两级。 要求第二级能满足推动末级功率放大器的输入信号强度,要有一定的功率输出,该激励可选择变压器耦合 的放大器。 如图 11 所示。 以上各级静态工作点 VE值以电源电压而定, VT VT VT5的 VE可取电源电压的 1/5 左右。 图 11 低放激励原理图 T4为低频放大级,接成固定偏置电路,工作电流一般取 ~ 1mA 范围。 功放输出级为典型的 OT 电路,由 T T6和 T7 等组成。 其中 T5为激励级, T T7为互补推挽输出级。 R1 R16 为激励级 T5 的偏置电阻; R18 使 T T7 两管基极保持固定的电位差,改变 R18 可改变输出级的静态工作点。 输出级工作电流一般取~ 5mA范围。 C16 为 交流负反馈电容, C19 为输出电容, C1 R1 C20 为电源去耦电路的电容、电阻。 另外,输出级 T T7 的中点电位( 3v)可由 R16 来调节。 功率放大 回路 它将前级的信号再加以放大,以达到规定的功率输出,去推动喇叭发声,可选择我们熟悉的 OTL 电路。 低频放大电路的设计,是根据要求的输出功率、选择的电源电压、喇叭的交流电阻,从后向前进行。 确定输出功率后进行功放管的选择,应通过手册查出功放管主要极限参数。 例:小功率晶体管 3AX31B 的极限参数: PCM≥ 125mW, ICM≥ 125mA, BVCEO≥ 12V。 末级一对功放管的 β 、 CEOI 及正向基极 — 发射级电阻 RBE 等都要对称(保证5VT++河南理工大学课程设计报告 12 误差在 20%以内)。 如果以高频管代替低频管,用于小信号前置放大级是可以的,但是大信号运用时,功率嫌得不够,整机失真将增大。 静态电流一般取 3~ 5mA 左右,它的大小影响着输出功率,失真和效率。 激励级要求输出功率较小,一般甲类放大器能满足要求。 可求出输出级的功率增益,根据所要求的输出功率指标及输入变压器的效率 η 求出激励级的输出功率,定出交流电压幅值 Um及交流电流的幅值 Icm,求出变比 K及 ICQ。 功率放大至低放前级要加入合适的负反馈。 对于 两级以上的放大器,公共电源往往会造成寄生耦合。 当电池内阻上产生的信号相位恰好和它原来的信号电压相位相同时,就会产生正反馈,正反馈电压比输入电压大时,就会产生自激振荡。 电池越旧,其内阻就越大,就越容易产生寄生耦合。 最后一级输出最强,对前级影响最大,应着重考虑末级的信号电流影响。 消除这些寄生偶合的方。
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