测控技术与仪器专业论文-基于51单片机的秒表设计(编辑修改稿)内容摘要:

和高密度技术及 CHMOS 的低功耗特征,而且继承和扩展了 MCS— 48 单片机的体系结构和指令系统。 单片机小系统的电路图如图 31 所示。 5 图 STC89C52 单片机的主要特性: (1)与 MCS51 兼容, 4K 字节可编程闪烁存储器; (2)灵活的在线系统编程,掉电标识和快速编程特性; (3)寿命为 1000 次写 /擦周期,数据保留时间可 10 年以上; (4)全静态工作模式: 0Hz33Hz; (5)三级程 序存储器锁定; (6)128*8 位内部 RAM, 32可编程 I/O 线; (7)两个 16位定时器 /计数器, 6 个中断源; (8)全双工串行 UART 通道,低功耗的闲置和掉电模式; (9)片内振荡器和时钟电路; 设计 1 2 3 4 5 6ABCD654321DCBAT i t l eN um be r R e vi s i onS i z eBD a t e : 8 J un 20 09 S he e t of F i l e : E : \ ba i ha o\ 毕业论文 \郑汉滔 \设计 \原理图 \4 个 16 X 16 点阵 . dd bD r a w n B y:P 1. 01P 1. 12P 1. 23P 1. 34P 1. 45P 1. 56P 1. 67P 1. 78R S T9R X D / P 3. 010T X D / P 3. 111I N T 0/ P 3. 212I N T I / P 3. 313T 0/ P 3. 414T 1/ P 3. 515W R / P 3. 616R D / P 3. 717X T A L 218X T A L 119V S S20P 2. 1/ A 922P 2. 2/ A 1023P 2. 3/ A 1124P 2. 4/ A 1225P 2. 5/ A 1326P 2. 6/ A 1427P 2. 7/ A 1528P S E N29A L E30BA31P 0. 7/ A D 732P 0. 6/ A D 633P 0. 5/ A D 534P 0. 4/ A D 435P 0. 3/ A D 336P 0. 2/ A D 237P 0. 1/ A D 138P 00 / A D 039V C C40P 2. 0/ A 821UA T 89 C 51Y1 12MC222 P FC322 P FC110 U FS1 R E S E TR110KV C C 6 图 时钟电路 如上图所示, 89C52 单片机的时钟信号通常用内部振荡方法得到,在引脚 XTAL1 和XTAL2 外接晶体振荡器 (简称晶振 )或陶瓷谐振器,就构成了内部振荡方法。 由于单片机内部有一个高增益反相放大器,当外接晶振后,就构成了自激振荡器并产生振荡时钟脉冲。 晶振通常选择 6MHz、 12MHz、 24MHz。 本设计采用 12MHz 晶振。 图中电容 C C2 起到稳固振荡频率、快速起振的作用。 电容值一般为 5— 30pF。 本设计选用 22pF 电容。 复位 设计 由下图可知,控制模块实际上就是单片机的最小系统。 本设计采用常用的上电且开关复位电路。 上电后,由于电容的充电,使 RST 持续一段高电平时间。 当单片机已在运行中时,按下复位键也能使 RST 持续一段时间的高电平,从而实现上电且开关复位的操作。 此处, C3 电容取 20uF, R1=1K。 图 7 采用内部时钟产生方式,在 XTAL1 和 XTAL2 两端跨接晶体或陶瓷振荡器,与内部反相器构成稳定的自击荡器。 其发出的时钟脉冲直接送入片内定时控制部件。 控制 设计 控制部分电路连接如下图所示: 单片机检测按键的原理是:单片机的 I/O 口既可作为输出也可作为输入使用,当检测按键时,用的是它的输入功能,我们把按键的一端接地,另一端与单片机的某个 I/O口相连,开始时先给该 I/O 口赋一高电平,然后让单片机不断的检测该 I/O口是否变为低电平,当按键闭合时,即相当于该 I/O 口通过按键与地相连,变成低电平,程序一旦检测到I/O 口变为低电平则 说明按键被放下,然后执行相应的指令。 本设计如图 所示, 1个独立按键 K2接到 P3 口的 端, K2 键即既可以当作开。
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