门电路补充内容内容摘要：
现代电路设计正朝着纯 CMOS技术的方向演进，而 CMOS器件具有很高的输入阻抗，因此直流负载效应常常可以忽略不计 • CMOS输入端、封装和内部连线具有相当大的电容 • 电容充放电时间是构成电路 /器件时延的主要因素之一 CMOS转换时间分析 • 影响转换时间的因素 – 晶体管的导通电阻 – 驱动的输入端的电容 • 寄生电容的来源 – 输出电路， 210pF – 输出和其它输入的连线电容， 1pF/英寸或更多 – 输入电路， 215pF 转换时间分析的 等效电路 CMOS转换时间分析 —下降时间 129/( )/( 10 0 10 0 10 )/( 10。阅读剩余 0%
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