63施密特触发器内容摘要：
于 R2R3，所以使 T1饱和导通时的 VE必然低于 T2饱和导通时的 VE值，因此， T1由截止变为导通的输入电压 VT+高于 T1由导通变为截止时的输入电压 VT，这样就得到了施密特触发特性。 经计算可得此电路： VT+ ≈ VT ≈ △ VT≈ 课后练习 《 数字电子技术 》 施密特触发器 （ 2）用门电路组成的施密特触发器 将两级反相器串接起来，同时通过分压电阻把输出端的电压反馈到输入端，就构成了施密特触发器电路。 用 CMOS反相器构成的施密特触发器 11R 1R 2G 1 G 2Iv Ov1Ov39。 Iv 39。 OvCMOS门，阈值电压 2121 RRVV DDTH ，且《 数字电子技术 》 施密特触。阅读剩余 0%
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