eda课程设计报告n沟道mos管工艺模拟与器件模拟

eda课程设计报告n沟道mos管工艺模拟与器件模拟内容摘要：

aterial=Silicon =1 = 抽取参数 nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 13 半个 NMOS 结构的镜像 前面构建了半个 NMOS 结构，要得到完整的结构，就需要在向器件仿真器输出结构或电极命名之前完成。 语句如下： structure mirror right 14保存 ATHENA 结构文件 完成设计之后有必要对结构进行保存及初始化。 点击 Save 建立新的文件名。 在文本编辑区里输入如下语句： structure outfile= . 使用 ATLAS 的 NMOS 器件仿真 1 概述 在这一部分，我们将对一个 NMOS 器件结构进行器件仿真 Vds= 偏压下的曲线： ，例如 Vt,Beta 和 Vgs 偏置情况下的 曲线簇 2 模型命令集 (1) 设置模型 对于简单的 MOS 仿真，推荐使用参数 SRH 和 CVT SRH 是 ShockleyReadHall 复合模型，而 CVT 模型是来自于 Lombardi 的反型层模型，这个 CVT 模型设置了通用的迁移率模型，包括 了浓度、温度、平行电场和横向电场的影响。 models cvt srh print (2) 设置接触特性 与半导体材料接触在一起的电极默认情况下假设为欧姆接触，如果电极上定义了功函数，那么这个电极就认为是肖特基接触。 命令“ Contact”用来设置电极的金属功函数。 使用“ Contact”命令来设置 n型多晶硅栅的功函数： contact name=gate (3) 设置界面特性 为了设置 NMOS 结构的界面特性，需要使用“ Interface”命令，这个命令用于定义在半导体和绝缘体之间的界面上的界面电 荷密度和表面复合速率。 为了定义硅和二氧化硅之间的界面上存在的固定电荷密度 3x1010cm2：interface qf=3e10。 3 求解命令集 接下来，我们将要为仿真选择数值计算的方法，对于半导体器件的问题，有几种不同的方法可以使用。 对于 MOS 结构来说，可以使用非耦合的 GUMMEL 法和耦合的 NEWTON 法。 简单来说， Gummel 法将对每个未知量轮流求解，同时保持其他变量不变，不断重复这个过程，直到能够得到稳定的解，而 Newton 法将会对整个系统的所有未知量一起求解。 method gummel newton 4 解决方法命令组 （ 1） Vds= 时，获得 IdVgs 转移特性曲线 语句如下： solve init solve vdrain= log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate “ solveinit”命令 “ Solve”命令，也就是“ solvevdrain=”将在漏电极上设置 的直流偏压。 这个命令将提供零偏压（或热平衡）情况下势能和载流子 浓度的初始猜想值（ 2） 获取器件参数。 c.“ Log”命令用来将 ATLAS 所仿真出来的结果 存入到文件 中 “ Solve”命令将以 为步距，从 0V 到 3V 扫描栅电极 extract name=nvt (xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)))) \ abs(ave(v.drain))/) 此语句提取阈值电压 Vt。 extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))\ * ((ave(v.drain))) 此语句提取  值。 extract name=ntheta ((max(abs(v.drain)) * $nbeta)/max(abs(i.drain))) \ ( / (max(abs(v.gate)) ($nvt))) 此语句提取 theta 值。 抽取参数 nvt= nbeta= nsubvt= (2)生成曲线族 要在 Vgs 分别为 ， ， 时生成 IdVds 曲线族， Vds 变化范围为 0~。 solve vgate= outf=solve_tmp1 solve vgate= outf=solve_tmp2 solve vgate= outf=solve_tmp3 load infile=solve_tmp1。