微机控制课程设计报告内容摘要:
写0 时序 图 3- 2 写时序 写时序包括写 0 时序和写 1 时序。 所有写时序至少需要 60us,且在 2 次独立的写时序之间至少需要 1us 的恢复时间,都是以总线拉低开始。 写 1 时序,主机输出低电平,延时2us,然后释放总线,延时 60us。 写 0 时序,主机输出低电平,延时 60us,然后释放总线,延时 2us。 (3) 读时序 主机采样主机采样454511主机写 1时 序主机写 0时 序 图 3- 3 读时序 总线器件仅在主机发出读时序是,才向主机传输数据,所以,在主机发出读数据命令后,必须马上 产生读时序,以便从机能够传输数据。 所有读时序至少需要 60us,且在 2次独立的读时序之间至少需要 1us的恢复时间。 每个读时序都由主机发起,至少拉低总线 1us。 主机在读时序期间必须释放总线,并且在时序起始后的 15us之内采样总线状态。 主机输出低电平延时 2us,然后主机转入输入模式延时 12us,然后读取总线当前电平,然后延时 50us. ROM操作命令 当主机收到 DSl8B20 的响应信号后,便可以发出 ROM 操作命令之一,这些命令如表31: ROM操作命令。 DS18B20的测温原理 DS18B20的测温原理 : 每一片 DSl8B20 在其 ROM中都存有其唯一的 48 位序列号,在出厂前已写入片内 ROM 中。 主机在进入操作程序前必须用读 ROM(33H)命令将该 DSl8B20 的序列号读出。 10 程序可以先跳过 ROM,启动所有 DSl8B20 进行温度变换,之后通过匹配 ROM,再逐一地读回每个 DSl8B20 的温度数据。 DS18B20 的测温原理如图 34 所示,图中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小 ,用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器 1,高温度系数晶振随温度变化其震荡频率明显改变,所产生的信号 作为减法计数器 2 的脉冲输入,图中还隐含着计数门,当计数 门打开时, DS18B20 就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲后进行计数,进而完成温度测量。 计数门的开启时间由高温度系数振荡器来决定,每次测量前,首先将 55 ℃ 所对应的基数 分别置入减法计数器 1 和温度寄存器中,减法计数器 1 和温度寄存器被预置在 55 ℃所对 应的一个基数值。 减法计数器 1 对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当减法计数器 1 的预置值减到 0 时温度寄存器的值将加 1,减法计数器 1 的预置将重新被装入,减法计数器 1 重 新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号 进行计数,如此循环直到减法计数器 2 计数到 0 时, 停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即为所测温度。 图 35 中的斜率累加器用 于补偿和修正测温过程中的非线性,其输出用于修正减法计数器的预置值,只要计数门仍未关闭就重复上述过程,直至温度寄存器值达到被测温度 值 . 表 3- 1 ROM 操作命令 指令 约定代码 功 能 读 ROM 33H 读 DS18B20 ROM 中的编码 符合 ROM 55H 发出此命令之后,接着发出 64 位 ROM 编码,访问单线总 线上与该编码相对应的 DS18B20 使之作出响应,为下一步对该 DS18B20的读写作准备 搜索 ROM 0F0H 用于确定挂接在同一总线上 DS18B20 的个数和识别 64位 ROM 地址,为操作各器件作好准备 跳过 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址,直接向 DS18B20 发温度变换命令,适用于单片工作。 续表 3- 1 告警搜索 命 令 0ECH 执行后,只有温度超过设定值上限或者下限的片子才做出响应 温度变换 44H 启动 DS18B20 进行温度转换,转换时间最长为 500MS,结果存入内部 9 字节 RAM 中 读暂存器 0BEH 读内部 RAM 中 9 字节的内容 写暂存器 4EH 发出向内部 RAM 的第 3, 4 字节写上、下限温度数据命令,紧跟读命令之后,是传送两字节的数据 复制暂存器 48H 将 E2PRAM 中第 3, 4 字节内容复制到 E2PRAM 中 重调 E2PRAM 0BBH 将 E2PRAM 中内容恢复到 RAM 中的第 3, 4 字节 读 供 电 方 式 0B4H 读 DS18B20 的供电模式,寄生供电时 DS18B20 发送“ 0”,外接电源供电 DS18B20 发送“ 1” 另外,由于 DS18B20 单线通信功能是分时完成 的,他有严格的时隙概念,因此读写时序很重 要。 系统对 DS18B20 的各种操作必须按协议进行。 操作协议为:初始化 DS18B20(发复位脉冲 )→发 ROM 功能命令 → 发存储器操作命令 → 处理数据。 11 图 3- 4 测温原理内部装置 DS18B20的测温流程 图 3- 5 DS18B20 测温流程 . 初始化 DS18B20 跳过 ROM 匹配 温度变换 延时 1S 跳过 ROM 匹配 读暂存器 转换成显示码 数码管显示 减法计数器 斜坡累加器 减到 0 减法计数器 预 置 低温度系数 振 荡 器 高温度系数 振 荡 器 计数比较器 预 置 温度寄存器 减到 0 12 第四章 单片机接口设计 设计原则 DS18B20 可以采用两种方式 供电,一种是采用电源供电方式,此时 DS18B20 的 1 脚接地, 2 脚作为信号线, 3 脚接电源。 另一种是寄生电源供电方式,如图 41 所示单片机端口接单线总线,为保证在有效的 DS18B20 时钟周期内提供足够的电流,可用一个 MOSFET管来完成对总线的上拉。 本设计 采用电源供电方式, 口接单线总线为保证在有效的DS18B20 时钟周期内提供足够的电流,可用一个 MOSFET 管和 89S51 的 来完成对总线的上拉。 当 DS18B20 处于写存储器操作和温度 A/D 变换操作时,总线上必须有强的上拉,上拉开启时间最大为 10 μs。 采用寄生电源供电方式是 VDD 和 GND 端均接地。 由于单线制只有一根线,因此发送接收口必须是三 状态 的。 主机控制 DS18B20 完成温度转换必须经过 3 个步骤: 初始化 ; ROM 操作指令 ; 存储器操作指令。 引脚连接 晶振电路 单片机 XIAL1 和 XIAL2 分别接 30PF 的电容,中间再并个 12MHZ 的晶振,形成单片机的晶振电路。 串口引脚 P0 口接 9 个 的排阻然后接到显示电路上。 和 引脚接继电器电路的 电阻上, P1 口其他引脚悬空 P2 口中 、 、 、 分别接到显示电路的 电阻上, 接蜂鸣器电路,其他引脚悬空 P3 口中 、 、 接到按键电路 其它引脚 ALE 引脚悬空,复位引脚接到复位电路、 VCC 接电源、 VSS 接地、 EA 接电源 13 第五章 系统整体设计 系统硬件电路设计 主板电路设计 单片机的 接 DS18B20 的 2 号引脚, P0 口送数 P2 口扫描, 、 控制二极管闪烁报警。 如附录 2。 各部分电路 (1) 显示电路 显示电路采用了 7段共阴数码管扫描电路,节约了单片机的输出端口,便于程序的编写。 图 5- 1 显示电路图 (2) 单片机电路 14 图 5- 2 单片机电路引脚图 (3) DS18B20温度传感器电路 图 53 温度传感器电路引脚图 (4) 晶振控制电路 15 图 55 晶振控制电路图 (5) 复位电路 图 56复位电路图 系统软件设计 系统软件设计整体思路 一个应用系统要完成各项功能,首先必须有较完善的硬件作保证。 同时还必须得到相应设计合理的软件的支持,尤其是微机应用高速发展的今天,许 多由硬件完成的工作,都可通过软件编程而代替。 甚至有些必须采用很复杂的硬件电路才能完成的工作,用软件编程有时会变得很简单,如数字滤波,信号处理等。 因此充分利用其内部丰富的硬件资源和软件资源,采用与 S51 系列单片机相对应的 51 汇编语言和结构化程序设计方法进行软件编程。 程序设计语言。微机控制课程设计报告
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