晶体管及其小信号放大1

晶体管及其小信号放大1内容摘要：

UBE(V) 20 40 60 80 工作压降： 硅管UBE~, 锗管 UBE~。 UCE=0V UCE = 死区电压，硅管，锗管。 17 输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域满足 IC=IB称为线性区（放大区）。 当 UCE大于一定的数值时，IC只与 IB有关，IC=IB。 IC=f(UCE) IB=const 18 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中 UCEUBE,集电结正偏，IBIC， UCE称为饱和区。 19 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 20 输出特性三个区域的特点 : (1)放大区： 发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC =  IB (2) 饱和区： 发射结正偏，集电结正偏。 即： UCEUBE ， IBIC， UCE (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 21 例 1：试判断三极管的工作状态 22 例 2：用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位 ，试判断晶体管的类型（为 NPN型还是 PNP型，硅管还是锗管，分别标上 B、E、 C。 23 例 3： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当 USB = 2V， 2V， 5V时，。