微波工程期中报告内容摘要：
，但其線性度就比較差，所以 D、 E和 F類功率放大器較適用於低線性度而需超省電的無線通訊系統。 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 單石微波積體化製作 • 砷化鎵材料技術已相當成熟穩定，加上砷化鎵基板比矽基板擁有較低高頻操作下的基板損耗，並配合其所磊晶成長的高電流密度、高崩潰電壓、及較佳高頻特性砷化鎵異質接面雙載子電晶體 (HBT)，所以砷化鎵材料是非常適合製作單石微波積體化功率放大器。 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 放大器設計方法 • 設計兩級放大的微波功率放大器，第一級輸入端採用共軛匹配網路，第二級輸出端利用負載線原理 (loadline)來得到最大輸出功率的匹配網路，並藉由負載線，了解元件輸出波形的變化，推演最佳輸出阻抗匹配網路，達到最大輸出於負載端圖 4。 圖 4 兩級式功率放大器設計架構 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 負載線原理 [5] (圖 5)當輸出端阻抗不同時的相關負載線情況，其㆗包含最佳功率匹配㆘的最佳負載阻抗 (Ropt) ，與非最佳負載阻抗 (RHi、 RLo)。 (圖 6)當電流擺動幅度在最大範圍時 (0 ~ Imax)，其擺幅大小為 Imax/2；而當電壓擺動幅度在最大範圍時 (0 ~ 2Vdc)，其擺幅大小為Vdc 圖 5 不同負載阻抗的相關負載線位置 圖 6 理想功率放大器於最佳載阻抗時的 輸出波形示意圖 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 GHz功率放大器設計 • 電晶體射極面積為 15 μm2的 InGaP/GaAs HBT功率元件，其第一級驅動級所使用的射極面積大小為 15 8 μm2，第二級輸出級所使用的射極面積大小共為 15 20 μm2；兩級電路皆採用共射極組態 A類偏壓架構，直流偏壓為 VCC = V、 VBB = 3 V，其㆗ VBB具有。阅读剩余 0%
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