24硅光电池

24硅光电池内容摘要：

V Is c / m AUocIsc6004002000 30 60204060T / ℃90开路电压下降大约23mV/度 短路电流上升大约 105103mA/度 5) 伏安特性 所谓伏安特性 ,是在光照一定的情况下 ,光电池的电流和电压之间的关系曲线。 无光照时 ， 光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。 有光照时 ， 沿电流轴方向平移 ， 平移幅度与光照度成正比。 曲线与电压轴交点称为开路电压 VOC， 与电流轴交点称为短路电流 ISC。 光电池伏安特性曲线 反向电流随光照度的增加而上升 I U 照度增加 图 、硅光电池在受光面积为 1cm2的伏安特性曲线。 图中还画出了 、 3kΩ的负载线。 负载线 （ 如 ） 与某一照度 (如 900lx)下的伏安特性曲线相交于一点 (如 A),该点(A)在 I和 U轴上的投影即为在该照度（ 900lx)和该负载 （ ） 时的输出电流和电压。 图 硅光电池的伏安特性曲线 9 0 0 ( l x )800700600500400300200100100 200 300 4000 . 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 6I / m A0 . 5 k 1 k 3 k AU / m V06) 稳定性 当光电池密封良好 、 电极引线可靠 、 应用合理时 ,光电池的性能是相当稳定的 ,使用寿命也很长。 硅光电池的性能比硒光电池更稳定。 光电池的性能和寿命除了与光电池的材料及制造工艺有关外 ,在很大程度上还与使用环境条件有密切关系。 如在高温和强光照射下 ,会使光电池的性能变坏 ,而且降低使用寿命 ,这在使用中要加以注意。 表 能参数 ,以供参考。 表 几种硅光电池的性能参数 1) 作电流源使用 光电池短路电流与照度有较好的线性关系 ,作为测量元件使用时 ,常当作电流源使用。 光电池的受光面积 ,一般要比光电二极管和光电三极管大得多 ,因此它的光电流比后两者大 ,受光面积越大光电流也越大 ,适于需要输出大电流的场合。 前面图。 由图可见 ,对于 ,照度每变化 100lx时 ,相应的负载线上的线段基本上相等 ,输出电流和电压随照度变化有较好的线性。 而对于 3kΩ的负载线 ,照度每变化 100lx时 ,相应的负载线上的线段不等 ,输出电流和电压与照度的关系就会出现非线性。 在光电检测中 ,在一定的负载下工作 ,希望输出电流和电压与照度成线性关系。 要确定这样的负载线 ,只要将工作中最大照度 (图中为 900lx)的伏安特性曲线上的转弯点 A与原点 O连成直线 ,就是所需的负载线。 在检测中 ,如要求光电池性能稳定 ,有好的线性关系 ,则负载电阻应取得小一些 ,电阻越小性能越好 ,即负载线应在 OA线的左面。 这时输出的电压虽有所减少 ,但光电流基本不变。 反之 ,如果光电池的负载电阻已定 ,。