11半导体二极管

11半导体二极管内容摘要：

到不同的 VBE 和 IB。 由图可见： （ 1） 当 V CE ≥ 1 V 时 ， 特性曲线基本重合。 （ 2） 当 VBE 很小时 ， IB 等于零 ， 三极管处于截止状态。 半导体三极管 （ 4） 三极管导通后 ， VBE 基本不变。 硅管约为 V ， 锗管 约为 V ， 称为三极管的导通电压。 （ 5） VBE 与 IB 成非线性关系。 （ 3） 当 VBE 大于门槛电压 （ 硅管约 V， 锗管约 V）时 ， IB 逐渐增大 ， 三极管开始导通。 半导体三极管 输出特性 ：在 IB 一定条件下时 ， 集电极极与发射极之间的电压 VCE 和集电极电流 IC 之间的关系。 2． 输出特性曲线 半导体三极管 先调节 RP1， 使 IB 为一定值 ， 再调节 RP2 得到不同的 VCE、 IC。 测试电路如图所示。 输出特性曲线 半导体三极管 条件： 发射结反偏或两端电压为零。 （ 2）放大区 条件： 发射结正偏，集电结反偏。 特点： IC 受 IB 控制 ，即 IC = IB。 在放大状态 ， 当 IB 一定时 ， IC 不随 VCE 变化 ， 即放大状态的三极管具有恒流特性。 （ 3）饱和区 条件： 发射结和集电结均为正偏。 VCES 称为饱和管压降，小功率硅管约 V，锗管约为 V。 输出特性曲线族可分三个区： 特点： VCE = VCES。 （ 1）截止区 特点： IB = 0， IC = ICEO。 半导体三极管 3． 三极管的主要参数： ② 集电极 — 发射极反向饱和电流 ICEO。 ① 集电极 — 基极反向饱和电流 ICBO。 （ 2） 极间反向饱和电流 选用管子时 ，  值应恰当 ， 一般说来 ，  值太大的管子工作稳定性差。 （ 1） 共射极电流放大倍数  两者关系： ICEO = （ 1 +  ） ICBO 半导体三极管 （ 3） 极限参数 ② 反向击穿电压。 当基极开路时 ， 集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压 — V（ BR） CEO。 当发射极开路时 ， 集电极与基极之间所能承受的最高反向电压 — V（ BR） CBO。 当集电极开路时 ， 发射极与基极之间所能承受的最高反向电压 — V（ BR） EBO。 半导体三极管 当 IC 过大时 ， 电流放大系数  将下降。 在技术上规定 ， 下降到正常值的 2/3 时的集电极电流称集电极最大允许电流。 ① 集电极最大允许电流 ICM。 在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时 ，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。 三极管应工作在三极管最大损耗曲线图中的安全工作区。 三极管最大损耗曲线如图所示。 ③ 集电极最大允许耗散功率 PCM 半导体三极管 1． 用万用表判别三极管的管型和管脚 方法： ① 黑表笔和三极管任一管脚相连 ， 红表笔分别和另外两个管脚相连测其阻值 ， 若阻值一大一小 ， 则将黑表笔所接的管脚调换重新测量 ， 直至两个阻值接近。 如果阻值都很小 ， 则黑表笔所接的为 NPN 型三极管的基极。 若测得的阻值都很大 ， 则黑表笔所接的是 PNP 型三极管的基极。 三极管的简易测试 半导体三极管 ② 若为 NPN 型三极管 ， 将黑红表笔分别接另两个引脚 ，用手指捏住基极和假设的集电极 ， 观察表针摆动。 再将假设的集电极和发射极互换 ， 按上述方法重测。 比较两次表针摆幅。