电工与电子技术习题集

电工与电子技术习题集内容摘要：

如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为 、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管 （ ）。 (a) 击穿 (b) 电流为零 (c) 电流正常 (d) 电流过大使管子烧坏 1 . 5 V D+ 8． 电路如图所示，二极管 D 为理想元件， US =5 V，则电压 uO= （ ）。 (a) Us (b) US / 2 (c) 零 R LDU Su O++ 9． 电路如图所示 , 所有二极管均 为理想元件，则 D1 、 D2 、 D3 的工作状态为 （ ）。 (a) D1 导通， D2 、 D3 截止 ； (b) D1 、 D2 截止， D3 导通 (c) D1 、 D3 截止， D2 导通 ； (d) D1 、 D2 、 D3 均 截止 D 1D 2R0V+ 6 V 12 VD3 3V 第 15 页 共 45 页 10． 电路如图所示，二极管 D1 、 D2 为理想元件，判断 D1 、 D2 的工作状态为 （ ）。 (a) D1 导通， D2 截止 ； (b) D1 导通， D2 导通 (c) D1 截止， D2 导通 ； (d) D1 截止， D2 截止 D1D215V12VR++ 11． 型号为 2CP10 的正向硅二极管导通后的正向压降约为 （ ）。 (a) 1V (b) V (c) V 12． 电路如图所示，二极管为同一型 号的 理想元件，电阻 R =4 k，电位 uA=1V， uB =3V，则电位 uF 等于 （ ）。 (a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V R+ 1 2 Vu Au Bu FDD 13． 电路如图所示，二极管为理想元件， ui=6sintV， U=3V，当 t =2 瞬间，输出电压 uO 等于 （ ）。 (a) 0 V (b) 6 V (c) 3 V u i RUDu O+++ 14． 电路如图所示， D 为理想二极管， ui = 6sin tV，则输出电压的最大值 uOM = （ ）。 (a) 6 V (b) 3 V (c) 3 V 第 16 页 共 45 页 U3Vu iDR uO+++ 15． 电路如图 1 所示，已知 U =6V， u =18sin tV，波形如图 2，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则二极管两端电压 uD 波形为图 3 中 （ ）。 u / V18uDV/12UuDUuR0 t t t t 图 3 图 2 图 1 12 12DuDV/uDV/000( )c( )b( )a+++U 第 17 页 共 45 页 16． 电路如图 1 所示，二极管 D 为理想元件， U u3V, i =6sin tV，则输出电压 uO 的波形为图 2中 （ ）。 3 6 36 图 1 图 2 t t t tDuiRUuOV/63 3 63636uO( b )uOV/( d )( c )( a )uOV/0000uOV/+++9 17． 电路如图所示， D1 ， D2 均为硅管（正向压降 )， D 为锗管（正向压降 )，U＝ 6V，忽略二极管的反向电流，则流过 D D2 的电流分别为 （ ）。 (a) 2mA， 2mA (b) 0 ， 2mA (c) 2mA， 0 2. 5k R 1D 1 D 2+2. 5k R 2DU 18． 电路如图所示， D1， D2 均为理想二极管，当输入信号 ui=6sinωtV 时，输出电压 uO的最大值为 ( )。 (a) +1V (b) +4V (c) +6V 第 18 页 共 45 页 1 V4 V10 k u i u OD 1 D 2++++ 19． 电路如图所示， D 为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为 ( )。 (a) 正偏 (b) 反偏 (c) 零偏  12 V10 k20 k1 5 k D15k  20． 稳压管反向击穿后，其后果为 （ ）。 (a) 永久性损坏 ； (b) 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损 (c) 由于击穿而导致性能下降 21． 动态电阻 rZ 是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是 （ ）。 (a) rZ 小则稳压性能差 ； (b) rZ 小则稳压性能好 ； (c) rZ 的大小不影响稳压性能 22． 电路如图所示，稳压管的稳定电压 UZ=10V，稳压管的最大稳定电流 IZMAX = 20 mA，输入直流电压 UI=20V，限流电阻 R最小应 选 （ ）。 (a)  (b)  (c)  RD ZuIU O++ 23． 电路如图所示，直流电压 UI=10V，稳压管的稳定电压 UZ=6V，则限流电阻 R 上的压降 UR 为 （ ）。 (a) 10V (b) 6V (c) 4V (d) 4V 第 19 页 共 45 页 RD ZU Ru I U O+++ 24． 图 1 所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 ui=10sinωtV，稳压管 DZ 的稳定电压为5V，正向压降不计，则输出电压 uO 的波形为图 2 中 （ ）。 RDZ 图 1510uOV/ 图 2 t t tui uOD( a )( b )( c )uOV/uOV/0005++ 25． 电路如图所示，稳压管 DZ 正向压降视为零，它的稳定电压为 7V，则回路中的电流等于 （ ）。 (a) 0 (b) 10mA (c) 25mA (d) RD Z+ 4003V 26． 电路如图所示，设 DZ1 的稳定电压为 6V， DZ2 的稳定电压为 12V，设稳压管的正向压降为 ，则输出电压 UO 等于 （ ）。 第 20 页 共 45 页 (a) 18V (b) (c) 30V (d) 30 V2 k UODZ1D Z2++ 27． 普通双极型晶体管是由 （ ）。 (a)一个 PN 结组成 (b)二个 PN 结组成 (c) 三个 PN 结组成 28． 测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为 0V、  和 ，则该管为 （ ）。 (a) NPN 型锗管 (b) PNP 型锗管 (c) NPN 型硅管 (d) PNP 型硅管 29． 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 VE = ， VB= ， VC = 5V， 则 该管类型为 （ ）。 (a) NPN 型锗管 (b) PNP 型锗管 (c) NPN 型硅管 (d) PNP 型硅管 30． 图示的三极管接在放大电路中，该管工作 正常，测得 UBE= ，则此管的类型为 (a) PNP 型锗管 ； (b) NPN 型锗管 ； (c) PNP 型硅管 ； (d) NPN 型硅管 EBC （ ）。 31． 晶体管的主要特点是具有 （ ）。 (a) 单向导电性 (b) 电流放大作用 (c) 稳压作用 32． 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏 导通改为反偏，则集电极电流（ ）。 (a) 反向 (b) 近似等于零 (c) 不变 (d) 增大 33． 晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为 （ ）。 (a) 发射结反偏，集电结正偏 (b) 发射结、集电结均反偏 (c) 发射结、集电结均正偏 (d) 发射结正偏，集电结反偏 第 21 页 共 45 页 34． 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、 9V 和 ，则 6V所对应的电极为 （ ）。 (a) 发射极 (b) 集电极 (c) 基极 35． 晶体管的穿透电流 ICEO 是表明 （ ）。 (a) 该管温度稳定性好坏的参数 ； (b) 该管允许通过最大电流的极限参数 ； (c) 该管放大能力的参数 ； 36． 已知某晶体管的 ICEO 为 200A ，当基极电流为 20A 时，集电极电流为 1mA，则该管的 ICBO 约等于 （ ）。 (a) 8mA (b) 10 mA (c) 5A (d) 20A 37． 单管放大电路的静态基极电流 IB适当增加时 ，晶体管的输入电阻 rbe 将 （ ）。 (a) 减 小 (b) 增 加 (c) 不 变 38． 在计算低频小功率。