电子技术综合课程设计串联可调直流稳压电源

电子技术综合课程设计串联可调直流稳压电源内容摘要：

的输出功率： PoI2U2= （ 3）选择整流电路中的二极管 ∵ 变压器的副边电压 U2=12V ∴ 桥式整流电路中的二极管承受的最高反向电压为： 桥式整流电路中二极管承受的最高平均电流为： 查手册选整流二极 管 IN4001，其参数为：反向击穿电压 UBR=50V17V 最大整流电流 IF=1A （ 4）滤波电路中滤波电容的选择 滤波电容的大小可用式 求得。 1）求 ΔUi: 根据稳压电路的的稳压系数的定义： 设计要求 ΔUo≤15mV ， SV≤ Uo=+3V～ +9V Ui=14V 串联可调直流稳压电源 第 8 页 共 14 页 代入上式，则可求得 ΔUi 2）滤波电容 C 设定 Io=Iomax=， t= 则可求得 C。 电路中滤波电容承受的最高电压为 ，所以所选电容器的耐压应大于 17V。 注意： 因为 大容量电解电容有一定的绕制电感分布电感，易引起自激振荡，形成高频干扰，所以稳压器的输入、输出端常 并入瓷介质小容量电容用来抵消电感效应，抑制高频干扰。 六、 元器件 介绍 根据用途分类 检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（ 100mA）作为界线通常把输出电流小于 100mA 的叫检波。 锗材料点接触型、工作频率可达 400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为 2AP 型。 类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混 频、开关等电路。 也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。 以整流电流的大小（ 100mA）作为界线通常把输出电流大于 100mA的叫整流。 面结型，工作频率小于 KHz，最高反向电压从 25 伏至 3000 伏分 A～ X 共 22 档。 分类如下： ① 硅半导体整流二极管 2CZ 型、 ② 硅桥式整流器 QL 型、 ③ 用于电视机高压硅堆工作频率近 100KHz 的 2CLG 型。 限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。 也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。 为了 使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。 也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。 就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。 即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用 半导体三极管也称双极型晶体管 ,晶体三极管 ,简称三极管 ,是一种电流控制电流的半导体串联可调直流稳压电源 第 9 页 共 14 页 器件 . 作用 :把微弱信号放大成辐值较大的电信号 , 也用作无触点开关 . 工作原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。 而每一种又有 NPN和PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅 NPN和 PNP 两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍 NPN硅管的电流放大原理。 对于 NPN管，它是由 2 块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，发射区与基区之间形成的 PN结称为发射结 ,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结 ,三条引线分别称为发射极 e、基极 b 和集电极 c。 当 b 点电位高于 e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而 C 点电位高于 b 点电位几伏时，集 电结处于反偏状态，集电极电源 Ec 要高于基极电源 Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流 Ie。 由于基区很薄 ,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流 Ic，只剩下很少（ 110%）的电 子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补给，从而形成了基极电流 ： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的 Ib，就可以在集电极上得到一个较大的 Ic，这就是所谓电流放大作用， Ic 与 Ib 是维持一定的比例关系，即： β 1=Ic/Ib 式中：β 1称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△ Ic 与基极电流的变化量△ Ib 之比为： β = △ Ic/△ Ib 式中β 称为交流电流放大倍数，由于低频时β 1 和β的数值相差不大，所以 有时为了。