led基材---氮化镓厚膜衬底制备技术及设备项目内容摘要：
相关技术目前还在保密状态下。 四、投资效益分析 根据目前美国 Cree 公司一片 2 英寸 GaN 厚膜衬底的价格为 7770 美元，如果能够将我们的技术实现产业化，我们可以卖到国内可以接 受 的 市场 价格，比如 3000 元 人民币，一台单次生长能力为 6 片 的设备 每天可生长 约 18 片衬底，则每年 销售额为 11826 万元。 每片硅衬底的价格约为 40 元，则硅衬底成本为 158万元，每天消耗的化学原材料 、 实验过程中消耗的水电 、以及产品的 包装 等费用总计 1000 元，则总共材料消耗费为 1000 365= 万元。 GaN 厚膜生产设备成本为每台 300 万元， 6 台一共 1800 万元，年折旧为 180 万元。 相关检测配套设备（简易版）约 2020 万元，年折旧为 200 万元。 则 税前利润 =年产值－年生产成本－配套检测设备－年销售费用－人工费用－年管理费用－年财务费用－研发费用＝ 11826－（ 180+158+37+200）－ 1182620％－ 1182610％－ 118265％=（万元）。 进一步完成产品的研发，实现 GaN 厚膜材料的商品化。 搭建 6 台 单次生产能力为 6 片或 12 片 的设备， 具体数字 可根据投资企业的能力决定。 力争在该设备搭建完。阅读剩余 0%
本站所有文章资讯、展示的图片素材等内容均为注册用户上传(部分报媒/平媒内容转载自网络合作媒体)，仅供学习参考。
用户通过本站上传、发布的任何内容的知识产权归属用户或原始著作权人所有。如有侵犯您的版权，请联系我们反馈本站将在三个工作日内改正。