cwindowsmicrosystemscd_memsexe内容摘要：
貌改变 理想的情况是膜版的形状被准确的复制到样品表面、各向同性刻蚀总是会扩大形状。 化学各向异性刻蚀蚀利用晶向选择性、所以只有准确与晶向对准才能得到准确的形状、利用粒子溅射可以用等离子体状态来控制各向异性刻蚀。 但是溅射也会因实际情况存在型貌精度问题。 由于溅射率角度依存性导致斜面化 即使开始时光刻胶是垂直壁，也会有在胶边缘产生斜面的倾向。 实际上胶边缘总是会成图示圆角，圆角处刻示率较高所以消耗快，原因是入射角 60度时刻蚀率比正入射高 1倍。 经过图示几个阶段的变化，最后影响得到的样品型貌。 Ditching现象 当光刻胶侧面不垂直于样品表面时 (经常会这样 )，粒子在侧面的掠射会导致根部刻蚀速度快的问题。 当然据估计只有 5%，所以在刻蚀深度不太大的情况下不会太严重。 Redeposition现象 物理刻蚀总结 在物理刻蚀中，包括离子刻蚀或溅射和离子束刻蚀， Ar离子等惰性气体被电离后在电场中加速后导向衬底实现刻蚀。 能量高适用面广、但选择性差、刻蚀率在每分钟数百唉 (比 RIE每分钟数千唉到 6um每分要慢 )。 需要注意的问题有 Facets、 ditching和redeposition。 由于能量高、所以有时会有结构的轰击损伤、但一般热处理可以消除。 随着器件复杂化、包含各种化学成分、惰性离子刻蚀或离子束溅射刻蚀会更加重要。 化学干刻蚀 (等离子体刻蚀 ) 等离子体腐蚀设备可分为圆筒式和平板式 （ 又叫二极管式 ） 两种。阅读剩余 0%
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