清华同方计算机系统技术培训手册：bios详解和内存

清华同方计算机系统技术培训手册：bios详解和内存内容摘要：

Award 字样则为 Award BIOS）。 一、 Award BIOS 1 短：系统正常启动。 恭喜，你的机器没有任何问题。 2 短：常规错误，请进入 CMOS Setup，重新设 置不正确的选项。 1 长 1 短： RAM 或主板出错。 换一条内存试试，若还是不行，只好更换主板。 1 长 2 短：显示器或显示卡错误。 1 长 3 短：键盘控制器错误。 检查主板。 1 长 9 短：主板 Flash RAM 或 EPROM 错误， BIOS 损坏。 换块 Flash RAM 试试。 不断地响（有间歇的长声）：内存条未插紧或损坏。 重插内存条，若还是不行，只有更换一条内存。 不停地响：电源、显示器未和显示卡连接好。 检查一下所有的插头。 重复短响：电源有问题。 无声音无显示：电源有问题。 二、 AMI BIOS 1 短：内存刷新失败。 更换内存条。 2 短：内存 ECC 校验错误。 在 CMOS Setup 中将内存关于 ECC 校验的选项设为 Disabled就可以解决，不过最根本的解决办法还是更换一条内存。 3 短：系统基本内存（第 1 个 64KB）检查失败。 换内存。 4 短：系统时钟出错。 5 短：中央处理器（ CPU）错误。 6 短：键盘控制器错误。 7 短：系统实模式错误，不能切换到保护模式。 8 短：显示内存错误。 显示内存有问题，更换显卡试试。 9 短： ROM BIOS 检验错误。 1 长 3 短：内存错误。 内存损坏，更换即可。 1 长 8 短：显示测试错误。 显示器数据线没插好或显示卡没 插牢。 第四节 BIOS的刷新 由于 当今硬件技术发展迅速，主板对一些特定的新设备、面临淘汰的老设备存在不能识别的现象；或者其自带的 BIOS 版本在设计上存在一些问题，如：加电自启动等等。 这主要是 BIOS 自身的问题，刷新 BIOS 一般可以解决。 这样刷新 BIOS 就成为必然。 刷新 BIOS的执行文件和 BIOS 版本文件一般由主板厂商提供，也可到我们的网站 下载，一般主板厂商主页上也提供，注意一定要下载主板 BIOS 厂商的刷新程序。 一般以 Award和 AMI 公司的 BIOS 居多。 在刷新 BIOS 之前，请把刷新 BIOS 的执行文件和 BIOS 版本文件拷贝到一张干净的软盘上，并准备一张干净的系统启动盘。 （ 请在 BIOS 设置中将 SYSTEM BIOS CACHEABLE 项禁止掉，将芯片组 FEATURE SETUP 选项中的 VIDEO BIOS CACHEABLE 项禁止掉；然后依次敲 ESC 键、 F10 键，保存设置并退出；重启机器，当出现“ Windows Starting”时，同时按下 CTRL 和 F5 键，以避免加载 ，从而省出 108KB 的内存 ） ；系统启动 成功后，插入有刷新 BIOS 的执行文件和 BIOS 版本文件的软盘，运行擦写程序，输入以下命令 :awardflash ＊ .bin（如果使用 AWARD 公司的 BIOS）。 系统会提示你是否保存旧版本的 BIOS。 你应该将它保存下来，以便更新后的 BIOS 存在问题时，可以将原来的 BIOS 版本恢复。 接下来系统会提示你是否进行刷新 BIOS，回答“ Y”。 刷新完后重新启动计算机，再重新设置 CMOS 即可。 但一些厂商（如华硕）只允许使用他们自己的 BIOS 擦写程序来对主板的 BIOS 升级。 第四章 内 存 个人电脑用极快的速度走进千家万户，渐渐地被大家所熟悉。 在了解计算机的同时，内存也受到了极大的关注。 现在，能用上高品质、大容量的内存是绝大部分用户的梦想。 第一节 内存简介 一． 内存技术与发展 当今的内存技术正在蓬勃的发展，几个大厂商都在加紧自己新型内存技术的发展，其中尤以 RDRAM 和 DDR 的较量最为激烈。 下面一起看看这几种新型内存的技术与当今内存的一些技术参数。 SDRAM（ Synchronous DRAM）的中文名字是 “ 同步动态随机存储器 ” ，这就是目前主推的 PC100 和 PC133 规范所广泛使用的内存类型，它的带 宽为 64bit， V 电压，目前产品的最高速度可达 5ns。 它是与 CPU 使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与 CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。 众所周知，现有的芯片组除了 Intel i820 以外，都能对 SDRAM 进行支持，仍为目前的主流内存。 DDR SDRAM（ Dual date rate SDRSM）：又简称 DDR，是 “ 双倍速率 SDRAM” 的意思，由于它可以在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在 133MHz 的总线频率下的带宽也能达到。 DDR 不支持 电压的 LVTTL，而是支持 的 SSTL2 标准。 它仍然可以沿用现有 SDRAM 的生产体系，制造成本比 SDRAM 略高一些（约为 10%左右），但仍要远小于 RAMBUS 的价格，因为制造普通 SDRAM 的设备只需稍作改进就能进行 DDR 内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与 RAMBUS 相抗衡的内存发展的一个方向，也将是 VIA 推广 PC266 标准的重要支柱内存。 目前已经得知的支持 DDR 的芯片组有 AMD 的 760 芯片组与扬智（ ALi）的 M1651 和 M1647两款北桥芯片，扬智这两款北桥芯片是分别面向 Intel 和 AMD 的两种不同体系的。 Direct Rambus DRAM（ DRDRAM） “ 接口动态随机存储器 ” ，这是 Intel 所推崇的未来内存的发展方向，它将 RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。 它具有相对 SDRAM 较高的工作频率（不低于 300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有 16bit，当工作时钟为 300MHz 时， Rambus 利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到 300x16x2/8=，若是两个通道，就是。 它与传统DRAM 的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。 其引脚数仅为普通 DRAM 的三分之一。 当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。 DRDRAM 要求 RIMM 中必须都插满，空余的插槽中必须插上传接板（也叫终结器）。 目前只有 Intel 的 i820 芯片组对 DRDRAM 进行支持。 Virtual Channel Memory（ VCM） “ 虚拟通道存储器 ” ，这是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准， VCM 是由 NEC 公司开发的一种的 “ 缓冲式 DRAM” ，该技 术将在大容量 SDRAM 中采用。 它集成了所谓的 “ 通道缓冲 ” ，由高速寄存器进行配置和控制。 在实现高速数据传输的同时， VCM 还维持着与传统 SDRAM 的高度兼容性，所以通常也把 VCM 内存称为 VCM SDRAM。 VCM 与 SDRAM 的差别在于不论 CPU 是不是经过处理以后的数据都可以先行交于 VCM 进行处理，而普通的 SDRAM 就只能处理经 CPU 处理以后的数据，这就是为什么 VCM要比 SDRAM 处理数据的速度快 20%以上的原因。 目前的 VCM SDRAM 支持的芯片组也很多，包括 815E、 694X 等在内的差不多支持 SDRAM 的芯片 组都可以对 VCM SDRAM 进行支持。 二． 内存参数 tCK（ TCLK）系统时钟周期，它代表 SDRAM 所能运行的最大频率。 数字越小说明 SDRAM芯片所能运行的频率就越高。 对于一片普通的 PC100 SDRAM 来说，它芯片上的标识 10 代表了它的运行时钟周期为 10ns，即可以在 100MHZ 的外频下正常工作。 大多数内存标号的尾数表示的就是 tCK 周期。 PC133 标准要求 tCK 的数值不大于。 tAC（ Access Time from CLK）是最大 CAS 延迟时的最大数输入时钟， PC100 规范要求 在 CL=3 时 TAC 不大于 6ns。 某些内存编号的位数表示的是这个值。 目前大多数 SDRAM 芯片的存取时间为 8 或 10ns。 这不同于系统时钟周期，它们二者之间是有着本质的区别。 比如一种 LG 的 PC100 SDRAM，它芯片上的标识为 7J 或 7K，这代表了它的存取时间为 7ns。 CL（ CAS Latency）为 CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 比如现在大多数的 SDRAM（在外频为 100MHz时）都能运行在 CAS Latency = 2或 3 的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。 （当然在延迟时间为二个时钟周期时， SDRAM 会有更高的效能。 ）在 SDRAM 的制造过程中，可以将这个特性写入 SDRAM的 EEPROM （就是 SPD）中，在开机时主板的 BIOS 就会检查此项内容，并以 CL=2 这一默认的模式运行。 对于 PC 100 内存来说，就是要求当 CL=3 的时候， tCK （ System clock cycle time）的数值要小于 10ns、 tAC（ Access time from CLK）要小于 6ns。 至于 为什么要强调是 CL=3的时候呢，这是因为对于同一个内存条当成设置不同 CL 数值时， tCK 的值是很可能不相同的，当然 tAC 的值也是不太可能相同的。 关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间 =系统时钟周期 x CL（ CAS Latency）模式数 +存取时间（ tAC），比如某 PC100 内存的存取时间为 6ns，我们设定 CL 模式数为 2（即 CAS Latency=2），则总延迟时间 =10ns x 2 + 6ns=26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。 对于将 PC100、 PC133 内存只使用在 66MHz或 100MHz 总线下的朋友，强烈建议你们将 CAS Latency 的数值设为 2，这样你的内存无疑会有更好的性能。 DDR、 RAMBUS 和 VCM SDRAM 分处于三大阵营之中，他们各自都有自己的优势，最后鹿死谁手还需要以后的事实来说话，以现在的处境来讲， DDR 的形势似乎更处于有利的位置 . SDRAM SDRAM 的标准 时钟周期。 它代表 SDRAM 所能运行的最大频率。 显然这个数字越小说明 SDRAM芯片所能运行的频率就越高。 对于一片普通的 PC100 SDRAM 来说，它芯片上的标识 10代表了它的运行时钟周期为 10ns，即可以在 100MHZ 的外频下正常工作。 根据某厂家的产品表我们可以得出这种芯片存取数据的时间为为 6ns。 存取时间。 对于 EDO 和 FPM DRAM 来说，它代表了读取数据所延迟的时间。 目前大多数 SDRAM 芯片的存取时间为 8 或 10ns。 这可不同于系统时钟频率，它们二者之间是有着本质的区别的。 比如一种 LG 的 PC100 SDRAM，它芯片上的标识为 7J 或 7K，这代表了它的存取时间为 7ns。 而许多人都把这个存取时间当作了它能跑的外频了，其实它的系统时钟频率依然是 10ns，外频为 100MHz。 CAS 的延迟时间。 这是纵向地址脉冲的反应时间 ,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 比如现在大多数的 SDRAM（在外频为 100MHz 时）都能运行在CAS Latency = 2 或 3 的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。 （当然在延迟时间为二个时钟周期时， SDRAM 会有更高的效能。 ）在 SDRAM 的制造过程中，可以将这个特性写入 SDRAM 的 EEPROM （就是 SPD）中，在开机时主板的 BIOS 就会检查此项内容，并以 CL=2 这一默认的模式运行。 综合性能的评价。 对于 PC 100 内存来说，就是要求当 CL=3 的时候， tCK （ System clock cycle time）的数值要小于 10ns、 tAC（ Access time from CLK）要小于 6ns。 至于为什么要强调是 CL=3 的时候呢，这是因为对于同一个内存条当成设置不同 CL 数值时， tCK 的值是很可能不相同的，当然 tAC 的值也是不太可能相同的。 关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间 =系统时钟周期 *CL（ CAS Latency）模式数 +存取时间，比如某 PC100内存的存取时间为 6ns， 我们设定 CL 模式数为 2（即 CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns*2+6ns=26ns。 这就是评价内存性能高低的重要数值。 奇偶校验（ Parity）、非奇偶校验（ NonParity）、 ECC 和 SPD。 比特（ bit）是内存中的最小单位，也称 “ 位 ” 、它只有两个状态分别以 1和 0 表示。 我们又将 8 个连续的比特叫做一个字节（ byte）。 非奇偶校验内存的每个字节只有 8 位，若它的某一位存储了错误的值，就会使其中存储的相应数据发生改变而导致应用程序发生错误。 而奇偶校验内存在每。