模拟电子技术课后习题解答

模拟电子技术课后习题解答内容摘要：

电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B。 该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。 37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为 1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为 1。 38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时， CBOI 增加 ，  增加 ，正向发射结电压 BEU 减小 ， CMP 减小。 39. 当温度升高时，共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 增大。 40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区。 41. 在题图 电路中，某一参数变化时， CEQV 的变化情况（ a. 增加， b，减小， c. 不变，将答案填入相应的空格内）。 （ 1） bR 增加时， CEQV 将 增大。 （ 2） cR 减小时， CEQV 将 增大。 （ 3） CR 增加时， CEQV 将 减小。 （ 4） sR 增加时， CEQV 将 不变。 （ 5）  减小时（换管子）， CEQV 将 增大。 （ 6）环境温度升高时， CEQV 将 减小。 42. 在题图 电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。 （在相应的空格内填 “增大 ”、 “减小 ”或 “基本不变 ”。 ） （ 1）若 bR 阻值减小，则静态电流 IB 将 增大 ， CEV 将 减小 ，电压放大倍数 vA 将 增大。 题图 （ 2）若换一个  值较小的晶体管，则静态的 BI 将 不变 ， CEV 将 增大 ，电压放大倍数 vA将 减小。 （ 3）若 CR 阻值增大，则静态电流 BI 将 不变 ， CEV 将 减小 ，电压放大倍数 vA 将 增大。 43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。 表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同。 45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器 有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率。 48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响。 49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为 LH ff 和 的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别 为 45186。 和 +45186。 50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 20dB/十倍频 ，幅频响应低频区的斜率为 20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 45186。 /十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45186。 /十倍频。 51. 一个单级放大器的下限频率为 100HzLf ， 上限频率为 30kHzHf ， 40dBVM A ，如果输入一个 )t00015sin(100, mV 的正弦波信号，该输入信号频率为 50kHz ，该电路 不会 产生波形失真。 52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变 窄 ，电压增益 增大 ，高频区附加相移 增大。 二、判断题 1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。 （ 1） ， 5V， 3V； 解：锗 NPN 型 BJT 管 VBE= V 所以为锗管； 5V 为集电极， 为基极， 3V 为发射极， （ 2）－ 9V，－ 5V，－ 解：硅 PNP 型 BJT 管；－ 9V 为集电极，－ 为基极，－ 5V 为发射极 （ 3） 2V， ， 6V； 解： 硅 NPN 型 BJT 管 ； 6V 为集电极， 为基极， 2V 为发射极 （ 4） 5V， ， ； 解：硅 NPN 型 BJT 管； 5V 为集电极， 为基极， 为发射极 题图 （ 5） 9V， ， 4V 解：硅 PNP 型 BJT 管 9V 为发射极， 为基极， 4V 为集电极 （ 6） 10V， ， 0V 解：硅 PNP 型 BJT 管， 10V 为发射极， 为基极， 0V 为集电极 （ 7） ， ， 12V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 12V 为集电极， 为基极， 为发射极， （ 8） 13V， ， 17V； 解：锗 NPN 型 BJT 管， 17V 为集电极， 13V 为基极， 为发射极， （ 9） ， 6V， 9V； 解：硅 NPN 型 BJT 管， 9V 为集电极， 为基极， 6V 为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。 1 管：。 4,2 VVVVVV CEB  答： NPN 管，工作在放大状态。 2 管：。 ,6 VVVVVV CEB  答： NPN 管，工作在饱和状 态。 3 管：。 VV,VV CEB 7301  答： NPN 管，工作在截止状态。 3. 题图 所列三极管中哪些一定处在放大区。 答：题图 所列三极管中，只有图（ D）所示的三极管处在放大区。 4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图 ，三极管可能发生的故障是什么。 答：题图 所示的三极管， B、 E 极之间短路，发射结可能烧穿。 5. 测得晶体管 3 个电极的静态电流 分别为 ， 和 ，则该管的  为 ①。 ① 为 60。 ② 为 61。 ③。 ④ 无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管 3 个电极，最先判别出的应是 ② b 极。 ① e 极 ② b 极 ③ c 极 7. 共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 ①。 题图 题图 6V 3V A 6V C 3V D 5V 0V B ① 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。 ② 输入和输出均具近似的恒流特性。 ③ 输入和输出均具有近似的恒压特性。 ④ 输入具有近似的恒流特性，而输出 具有恒压特性。 8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻 R 时的 c， e 间的击穿电压分别用 V（ BR） CEO ， V（ BR） CES和 V（ BR） CER表示，则它们之间的大小关系是 ②。 ① V（ BR） CEO＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CER。 ② V（ BR） CES＞ V（ BR） CER ＞ V（ BR） CEO。 ③ V（ BR） CER＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO。 ④ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO＞ V（ BR） CER。 9．题图 所示电路中，用 直流电压表测出 VCE≈0V，有 可能是 因为 C 或 D。 A Rb 开路 B Rc 短路 C Rb 过小 D  过大 10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图 所示。 试判断各三极管的工作状态。 答：题图 所示的各个三极管的工作状态，图（ a）为放大， 图（ b）为放大 ，图（ c）为饱和， 图（ d）为 C、 E 极间 击穿。 11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图 示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。 题图 题图 (b) (c) (d) (a) 答：题图 所示的各个三极管的工作状态，图（ a）为损坏， 图（ b）为放大， 图（ c）为放大， 图（ d）为截止， 图（ e）为损坏，图（ f）为饱和（或 B、 C 极间击穿）。 12. 放大电路如题 图 所示，对于射极电阻 eR 的变化是否会影响电压放大倍数 vA 和输入电阻 iR 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的。 甲：当 eR 增大时，负反馈增强，因此 vA 、 iR。 （ ） 乙：当 eR 增大时，静态电流 CI 减小，因此 vA 、 iR。 （ ） 丙：因电容 eC ，对交流有旁路作用，所以 eR 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当 eR 增大时， vA 和 iR 均无变化。 解：本题意在我们要搞清 eR ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看， eR被 eC 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以 eR 的变化不影响 uA 和 iR ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。 但我们还必须进一步考虑，尽管 eR 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到 CQI ，就影响到 ber 进而影响 uA和 iR。 题图 甲的说法是错误的，原因：因 eC 的旁路作用，所以 eR 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。 乙的说法是正确的。 原因：。 )(  ubeEQCQe ArIIR  ibebibe RrRRr ,//, 丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管 eR 不产生负反馈，但 eR 增大使EQEQ ，II 减小 的减小必然引起 uA 减小和 iR 的增加。 主观检测题 把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量 时AIB 6 ，则 mAIC  ，当测得mA，IAI CB  时 ，问这个晶体管的  值是多少。 CEOCBO II 和 各是多少。 解：根据电流关系式： C B C B OI I ( )I ,  1 可 得 CB OI)1(mA0  （ 1） C B OI)1(  （ 2） 将（ 1）、（ 2）两式联立，解其联立方程得： CBOI . A6 0 0 6 6 进而可得： C E O C B OI ( ) I . A A      1 0 6 6 6 1 4 0 根据题图 所示晶体三极管 3BX31A 和输出特性曲线，试求 Q 点处 VVCE 3 ，值和值和的  ，AI,mAI BC 1504 。 题图 解： CBI mAI . m A   4 2020 ， .  0 951 CBI mAI . m A   2 2020 .  0 951 硅三极管的 CBO，I50 可以忽略，若接为题图 （ a），要求 mAIC 2 ，问 ER 应为多大。 现改接为图 (b)，仍要求 BC RmAI 问,2 应为多大。 解： （ a）  CB I mAIA  2 4050   EBBEEEBEEEI I . m AVIRV .R . kI.     1 2 0466 6 0 7 262 04 （ b）  CB I mAIA  2 4050 C C B EB BVV .RkI.    6 0 7 1320 0 4 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图 所示，试判断各晶体管的类型（ PNP 管还是 NPN 管，硅管还是 锗管），并区分 e、 b、 c 三个电极。 题图 (a) (b) 题图 (a) (b) (c) 解：题图 （ a）所示的晶体管为锗 NPN 管 ，三个引脚分别为 ① e 极、 ② b 极、 ③ c极。 题图 (b) 所示的晶体管为硅 PNP 管，三个引脚分别为 ① c 极、。