模拟电子技术基础课程教学辅助系统是助教型多媒体课

模拟电子技术基础课程教学辅助系统是助教型多媒体课内容摘要：

三种接法也称三种组态，见图。 共集电极接法 ，集电极作为公共电极，用 CC表示。 共基极接法 ， 基极作为公共电极，用 CB表示。 共发射极接法 ，发射极作为公共电极，用 CE表示； 图 三极管的三种组态 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流 IC和发射极电流 IE之间的关系可以用系数来说明，定义 : ECN / II 11C B OBC III 称为共基极直流电流放大系数。 它表示最后达到集电极的电子电流 ICN与总发射极电流 IE的比值。 ICN与 IE相比，因 ICN中没有 IEP和 IBN，所以 的值小于 1, 但接近 1。 由此可得 :  IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO BC B OBBC 1)11( IIIIIBB 1)1( II 1因 ≈1, 所以  1 定义 : =IC /IB=(ICN+ ICBO )/IB 称为共发射极接法直流电流放大系数。 于是 2020/11/29 双极型半导体三极管的特性曲线 这里， B表示输入电极， C表示输出电极，E表示公共电极。 所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流， vBE是输入电压 ，加在 B、E两电极之间。 iC是输出电流， vCE是输出电压 ，从 C、 E 两电极取出。 输入特性曲线 —— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线 —— iC=f(vCE) iB=const 本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即 共发射极接法的供电电路和电压 电流关系如图。 图 共发射极接法的电压 电流关系 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论 iB和 vBE之间的函数关系。 因为有集电结电压的影响， 它与一个单独的 PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除 vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使 vCE=const(常数 )。 (1) 输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即 vCE对 iB的影响。 共发射极接法的输入特性曲线见图。 其 中 vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当 vCE≥1V时， vCB= vCE vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 但 vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。 曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。 输入特性曲线的分 区： ① 死区 ②非线性区 ③线性区 图 共射接法输入特性曲线 (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图 ，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。 现以其中任何一条加以说明， 当 vCE=0 V时，因集电极无收集作用， iC=0。 当 vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如 vCE 1 V vBE= V vCB= vCE vBE= V 集电区收集电子的能力 很弱， iC主要由 vCE决定。 图 共发射极接法输。