模拟电子技术模拟试题一

模拟电子技术模拟试题一内容摘要：

加 增加 串联 电流 下降 提高 (1+AF) Xf/Xo 反馈系数 相等 相反 温度 1乙类 交越 1幅度 载波 1下降 好 1+β 1 AF=1 相位平衡条件 1√ 2U2 二、选择题（每空 2 分 共 34 分） A C E B A C A B C A B B C E C 三、分析与计算题（共 34 分） 5 分 1） V2导通 2） UAO=5V 10 分 1） 2mA 2) 3) 4） 5） 2KΩ 5 分 1） 1V 6V 9 分 1） 1KHz 2） 20KΩ 3）正温度系数 5 分 14V 19 《模拟电子技术》 模拟 试题 五 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ），它的稳压值 Uz 才有导通电流，否则处于（ ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V、 6V、 ，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、 （ B、 C、 E） B、 （ C、 B、 E） C、 （ E、 C、 B） D、 （ NPN） E、 （ PNP） 对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。 A、 U0高 B、 P0大 C、功率大 D、 Ri 大 E、波形不失真 共射极放大电路的交流输出波 形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 差分放大电路 RE 上的直流电流 IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ（ ）倍。 A、 1 B、 2 C、 3 为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 分析运放的两个依据是（ ）、（ ）。 A、 U≈ U+ B、 I≈ I+≈ 0 C、 U0=Ui D、 Au=1 二、填空题（每空 1 分 共 32 分） P 型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以 PN 结具有（ ）导电性。 反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。 当温度升高时，三极管的等电极电流 I（ ），发射结压降 UBE（ ）。 晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻 20 采用（ ）负反馈。 负反馈放大电路和 放大倍数 Af=（ ），对于深度负反馈 Af=（ ）。 共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。 1乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。 1用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。 1共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ）， fa=（ ） fβ。 1要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。 1在桥式整流电阻负载中 ，理想二极管承受最高反压是（ ）。 三、分析计算题（共 38 分） 已知：电路如图所示 K= U1=3V U2=6V 求： Uo=? (6 分 ) 已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE= UBEQ= C1=C2=20η F rbe= β =100 CE=10η F （取小数点后一位） 求： 1） ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分 ) 已知：电路如图所示 求： Uo=? (6 分 ) 21 已知： RC 振荡电路如下图所示 R= C= F R1=5KΩ 求： 1） fo 2） Rt 冷态电阻 3）指明 Rt 的温度特性（ 9 分） 已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω R2= 求：输出电压 Uo （ 7 分） 22 试题 五 答案 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） B C F C D B C E B E C A B A A B 二、填空（每空 1 分 共 32 分） 多数 少数 导通 截止 单向 少数 温度 无关 电流 电压 增加 减小 正偏 反偏 共射极 共集电极 共基极 直流 电压 A/1+AF 1/F 相等 相同 1交越 甲乙 1调频 调制 高频载波 1好 1+β 1正反馈 1√ 2U2 三、分析与计算题（共 38 分） 6 分 5V 10 分 1） 2mA 2) 3) 4） 5） 2KΩ 6 分 UO=20V 9 分 1） fo=1KHz 2） Rt=10K 3）负温度系数 7 分 11V 23 《模拟电子技术》 模拟 试题 六 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） 三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ ）。 A、 12V B、 5V C、 9V 用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、 6V、 ，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（ B、 C、 E） B、（ C、 B、 E） C、（ E、 C、 B） D、（ PNP） E、（ NPN） 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真 时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定 Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 LM386 是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。 A、 0~20 B、 20~200 C、 200~1000 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值 Uo=（ ） Uz A、 B、 C、 当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。 A、 U≈ U+ B、 I≈ I+≈ 0 C、 U0=Ui D、 Au=1 对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、 U0 高， B、 P0 大 C、效率高 D、 Ri 大 E、波形不失真 振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 二 、填空题（每空 1 分 ，共 32 分） 空穴为（ ）载流子。 自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为 P型半导体。 PN 结的 P 型侧接高电位， N 型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ） 由漂移形成的电流是反向电流，它由（ ）栽流子形成，其大小决定于（ ），而与外电场（ ）。 稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）偏置状态。 24 晶体三极管的集电 极电流 Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。 当温度升高时三极管的反向饱和电流 I CBO（ ）所以 Ic 也（ )。 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ ）负反馈。 为稳定交流输出电压，采用（ ）负反馈，为了提高输入电阻采用（ ）负反馈 .。 负反馈使放大电路增益下降，但它可以（ ）通频带（ ）失真。 反馈导数 F=（ ）。 反馈深度是（ ）。 差分放大电路 能够抑制（ ）信号，放大（ ）信号。 1 OCL 电路是（ ）电源互补功放， OTL 是（ ）电源互补功放。 1用低频信号改变高频信号的相位称为（ ）。 低频信号称为（ ）、高频信号称为（ ）。 1晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（ ）。 共基极电路比共射极电路高频特性（ ）。 1振荡电路的平衡条件是（ ），（ ）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ ）。 三、分析计算题（共 38 分） 已知：电路如图所示 V V2 为理想二极管。 求： 1）哪只二极管导通 2）UAO=。 （ 6 分） 已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE= UBEQ= C1=C2=20η F rbe= β =100 CE=10η F （取小数点后一位） 求： 1） ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10 分 ) 25 已知：电路如图所示 U1=1V U2=2V 求 (1） U01=? 2)U0 (6 分 ) 已知： RC 振荡电路如下图所示 R= C= F R1=5KΩ 求： 1） fo 2） Rt 冷态电阻 3）指明 Rt 的温度特性（ 9 分） 已知：电路如图 IQ=5mA R1=500Ω R2= 求：输出电压 Uo （ 7 分） 26 试题 六 答 案 一、选择题（每空 2 分 共 30 分） A C E B A C A B C A B B C E C。