太阳能电池组件工艺流程内容摘要：
和射频功率，对衬底的温度也很重要。 非晶硅太阳电池的结构有各种不同，其中有一种较好的结构叫 PiN电池，它是在衬底上先沉积一层掺磷的 N 型非晶硅，再沉积一层未掺杂的 i 层，然后再沉积一层掺硼的 P 型非晶硅，最后用电子束 蒸发一层减反射膜，并蒸镀银电极。 此种制作工艺，可以采用一连串沉积室，在生产中构成连续程序，以实现大批量生产。 同时，非晶硅太阳电池很薄，可以制成叠层式，或采用集成电路的方法制造，在一个平面上，用适当的掩模工艺，一次制作多个串联电池，以获得较高的电压。 因为普通晶体硅太阳电池单个只有 伏左右的电压，现在日本生产的非晶硅串联太阳电池可达 伏。 目前非晶硅太阳电池存在的问题是光电转换效率偏低，国际先进水平为 10％左右，且不够稳定，常有转换效率衰降的现象，所以尚未大量用于作大型太阳能电源，而多半用于弱光电源，如袖 珍式电子计算器、电子钟表及复印机等方面。 估计效率衰降问题克服后，非晶硅太阳电池将促进太阳能利用的大发展，因为它成本低，重量轻，应用更为方便，它可以与房屋的屋面结合构成住户的独立电源。 目前我们重点使用的基本都是多晶硅和单晶硅太阳能电池板。 一、太阳能电池 太阳能电池的利用光伏效应把太阳的光能转换成电能。 对于硅电池来说，在标准条件下（光谱照度： 100W/m 2 ,光谱： ，温度： 25 ℃ ），它的开路电压为 ～。 将多个单体太阳能电池连接，并进行封装，可以构成不同 面积、不同功率的太阳能电池组件，也可统称为太阳能电池板。 单体太阳能电池一般是不能使用的，实际应用的是太阳能电池组件。 太阳能电池于太阳幅照度的对数成正比，具有负的温度系数，温度每上升一度，电压下降 2mV ～ 3mV。 单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池是目前较常见、较实用的三种太阳能电池。 多晶硅太阳能电池的生产工艺相对简单，价格比单晶硅低。 近年来，由于多晶硅太阳能电池技术的不断进步，其转换效率得到不断提高。 单晶硅太阳能电池的效率比较高，但价格高于多晶硅太 阳能电。阅读剩余 0%
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