电力电子技术课程设计-电流可逆斩波电路(mosfet)-正文内容摘要：
靠 ,损耗小 ,根据情况施加隔离。 根 据以上要求可设计上面图 的磁脉冲驱动电路。 4 主电路设计 按照图 电路原理图在 matlab 里面搭建下面图 电流可逆斩波电路（ MOSFET）电路图。 图 电流可逆斩波电路（ MOSFET）电路图 武汉理工大学《电力电子技术》课程设计 4 5 建模与仿真 参数设定 按照前面计算的参数，分别在对应模块设定参数。 从仿真得到的电流波形中，找到 iD1 导通时间，即对应负载电感释放磁场能的时间，大约为 10us。 根据这一数值再来确定 gate V2 信号的触发延迟时间： *%+=。 将所 得参数设定到各模块，如图 和。 图 电流可逆斩波电路（ MOSFET） V1 gate 信号参数 图 电流可逆斩波电路（ MOSFET） V2 gate 信号参数 武汉理工大学《电力电子技术》课程设计 5 现象与分析 设定完参数仿真得到图 波形：电流波形与理论一致，但电压波形出现了很大的毛刺。 按照理论不应该出现如此大的毛刺，初步推测可能是某模块参数设定不合理。 图 电流可逆斩波电路（ MOSFET）输出波形 武汉理工大学《电力电子技术》课程设计 6 问题探讨 为了寻求问题答案，参考了做电流可逆斩波电路（ IGBT）电路的同学仿真波形。 于是我在 自己电路图。阅读剩余 0%
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