电力电子技术课程设计--升压斩波电路的实现

电力电子技术课程设计--升压斩波电路的实现内容摘要：

关断会产生很高的尖峰电压 dic/dt，极有可能造成 IGBT 自身或其他元件击穿。 （ 3） IGBT 开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使 IGBT 在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。 （ 4） IGBT 驱动电路中的电阻 RG 对工作性能有较大影响。 RG 较大，有利于抑制 IGBT 的电流上升率 dtdic 及电压上升率 du/dt，但会增加 IGBT 的开关时间和开关损耗； RG 较小，会引起 dtdic 增大，使 IGBT 误导通或损坏。 RG 的选择原则是应在开关损耗不太大的情况下，选择略大的 RG。 RG 的具体数值还与驱动电路的结构及 IGBT 的容量有关，一般在几欧至几十欧，小容量的 IGBT其值较大。 （ 5） 驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对 IGBT 的保护功能。 IGBT 为压控型元件，当集射极加高压时很容易受外界干扰，使栅射电压超过 UGE (th)引起器件误导通。 为了提高抗干扰能力，除驱动 IGBT 的触发引线应尽量短且应采用双绞线，在栅射极间务必并联栅射电阻 RGE ,一般取 RGE =（ 1000— 5000） RG ,RGE 应并在栅射极最近处。 V1， V2 是为防止驱动电路出现高压尖峰而并联的两只稳压管，稳压值应与正偏栅压与负偏栅压大小相同而方向相反。 信号控制电路与驱动电路之间应采用抗干扰能力强，传输时间短的高速光耦合器件加以隔离。 （ 6） IGBT 在使用时除了采取静电防护措施外，还必须注意以下事项： IGBT 的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配。 2 、当 GE 端在开路的情况下，不要给 CE 端家电压。 在未采取适当的防静电措施情况下， GE 端不能开路。 图 3 栅射电阻与反串稳压管的并联电路 4 最有参数选择 当 IGBT 处于导通时，得 1 1 MdiL R i Edt  设 1i 的初值为 10I ，解上式得 1 1 0 1ttMEi I e eR   当 IGBT 处于关断时，设电动机电枢电流 为 2i ，得 2 2 MdiL R i E Edt    设 2i 的初值为 20I ，解上式得 2 2 0 1o n o nt t t tMEEi I e eR    当电流连续时，从图 32 的电流波形可看出， t = ont 时刻 1i = 20I ，t =T 时刻 2i = 10I ，由此可得 2 0 1 0 1o n o nttMEI I e eR   oft xt 1t 2t O O i ou t t T oft ont 2i 1i E 10I 20I 10I O O i ou t t T ont 2i 1i E 20I 图 31 电流连续 图 32 电流断续 f f o f f1 0 2 0 1ott MEEI I e eR   故由上两式求得： o f f101111tMTE e E e EImR R e Re      on20 11t TMTE e e E e e EImR R e Re       把上面两式用泰勒级数线性近似，得 10 20 () EI I m R   该式表示了 L为无穷大时电枢电流的平均值 oI ，即 () Mo EEEIm RR     当电流断续时的 波形如图 32 所示。 当 t =0 时刻 1i =10I =0，令式 （ 110）中 10I =0 即可求出 20I ，进而可写出 2i 的表达式。 另外，当 t = 2t 时， 2i =0，可求得 2i。