太阳能工艺流程

太阳能工艺流程内容摘要：

240 W3 清排水 W4 含磷废水 有在原辅料上不在使用异丙醇（经工艺探索可不用该异丙醇，不会影响产品品质），因此本项目有铬生产线工艺简述可见本报告书现有项目有铬生产线工艺简述。 （ 2）无铬多晶硅生产工艺流程 HNO HF、 H2SO纯水 KOH、纯水 HF、纯水 本项目无铬生产工艺流程图 简述： 本工艺为无铬多晶硅工艺，是目前较先进工艺，无重金属污染问委外加工多晶 硅片 硅片腐蚀（制绒）清洗 干燥 硅片扩散 去硅玻璃 干燥 加减 反射膜 硅片背面印刷银铝浆 烘干 硅片背面印刷铝浆 烘干 硅片正面印刷银浆 烧结 太阳能电池片 HNO HF、纯水 KOH、纯水 HF、 HCl、纯水 G1 酸雾（ NOx）、 HF G2 HCl、 HF W1 含（ N）、 HF 废水 W2 碱性 废水 W3 含酸（ HF、 HCl）废水 S1 含硝酸、氢氟酸、盐酸废液 空气 POCl N O2 G3 Cl2 G4 P2O5 W4 清排水 纯水 、 HF G5 酸雾 （ NOx）、 HF、硫酸雾 、 SiF4 W6 含 （ N）、 HF 酸性废水 W7 碱性废水 G6 HF W7 酸性（ HF）废水 空气 S2 含磷废液 W5 含 磷 废水 SiH NH N2 G7 NH SiH4 银铝浆 S3 少量废铝银浆 G8 少量有机物 铝浆 S4 少量废铝浆 G9 少量有机物 银浆 S5 少量废银浆 G10 有机物 （多晶电池片） 纯水 题，具体如下： (制绒 )、清洗： 本项目使用原材料为 P（硅片类型）型多晶硅薄片，使用硝酸、氢氟酸、盐酸的混合酸（按一定比例配比）腐蚀硅表面形成绒面。 喷淋清洗处理制绒后的硅片表面，使其净化；然后再用氢氧化钾（浓度65%）腐 蚀并喷淋清洗，接着用氢氟酸、盐酸的混合酸（按一定比例配比）去除表面残留的物质，最后再用纯水喷淋清洗。 此过程有废气产生，废气中含有氮氧化物、硫酸雾、 HCl、 HF、 H2；此工序还有含 N废水、含氟废水、酸性废水产生，同时产生一定的废液。 经以上清洗后进行空气干燥。 ： 硅片扩散也称磷扩散，是在氧气存在的条件下，磷源分解在硅中扩散而形成 PN 结， POCl3为电子级纯度，在过程中所起作用是为扩散提供磷源，各反应化学式如下： 5POCl3=3PCl5+P2O5 2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2 4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 因而硅片扩散工序 ,有废气产生，该废气成分有 P2O Cl2等。 ： 本工艺分为三段腐蚀，先用硝酸、氢氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蚀硅片表面的氧化层，再用纯水喷淋清洗，再用氢氧化钾（浓度 45%）腐蚀后纯水喷淋清洗，最后用氢氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蚀后纯水喷淋清洗，以上工序为清除硅片表面的 SiO2层，反应生成为为微量的 SiF4和 [H2SiF6]2少量的络合物，以上清洗废水分别进入含 N 废水处理 设施处理及酸碱废水处理设施处理。 因而此工序会有少量的氮氧化物、硫酸雾、 HCl、 HF 和四氟化硅挥发。 ： 利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜， N2不发生反应，作为保护气体，此工序会有少量的氨气和硅烷挥发。 (即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆 )： 使用浆料印刷电极，使之形成良好接触 ,收集电流。 主要是使用银浆，铝浆，银铝浆，一般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成，经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发，剩余金属与硅形成合金层。 7．烧结 烧结工序主要是将印刷好银浆、铝浆 、银铝浆的电极放入烧结炉中，使浆料中的水分、树脂及某些有机物挥发出来。 烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。 资源及能源消耗 本项目原辅材料及能源 序号 原辅料名称 年耗量 1 原料 硅片（ Si） 900t（约 7200 万片） 2 辅料 氮气 (%) 690t（约 85 万 m3） 3 硅烷 (%) 2800kg 4 氨气 (%) 2040kg 5 CF4(%) （约 3760m3） 6 氧气 (%) (约 万 m3） 7 三氯氧磷 （ 99%） （约 2333m3） 8 银浆 4200kg 9 铝浆 54000kg 10 银铝浆 4200kg 11 盐酸（ 36%） 12 氢氟酸（ 40%分析纯） 13 三氧化铬（ %） 14 硝酸（ 65%分析纯） 15 氢氧化钾（ 45%分析纯） 16 硫酸（ 98%工业级） 17 水处理药剂 聚合氯化铝（工业级、固体） 25 吨 18 高分子混凝剂（工业级、 固体） 吨 19 氢氧化钠 (90%工业级、固体 ) 16 吨 19 CaCl2(70%工业级 ) 13 吨 20 能源 水 万 21 电 1200 万度 主要生产设备、公用及贮运设备 本项目主要设备表 序 号 设备名称 规格（型号） 数量 备注 1 生产设备 有铬线 扩散前清洗机 / 8 台 新增 2 扩散炉 / 4 台 3 扩散后清洗机 / 4 台 4 PECVD 镀膜机 SLPC71HR4 4 台 5 等离子刻蚀机 M42200 16 台 6 丝网印刷机 J1762CLD/CUL 4 台 7 烧结炉 PVD600 4 台 8 甩干机 / 8 台 9 无铬扩散前清洗机 / 1 台 10 扩散炉 / 1 台 11 线 扩散后清洗机 / 1 台 12 PECVD 镀膜机 / 1 台 13 丝网印刷机 / 1 台 14 烧结炉 / 1 台 15 辅助设备 冷冻机 / 2 台 新增 16 空压机 / 6 台 17 组合式空调净化系 统 020T 4 套 18 通风系统（风机） 4 套 为备用 48 套 19 水泵 / 10 台 20 氮气、氧气 储 罐 氧气 20m3 1 个 依托 21 氮气 20m3 1 个 22 膜过滤制纯水设施 设计能力 200t/h 1 套 23 含 N废水膜过滤纯水 设施 100t/d 1 套 新增 24 含 P 废水膜过滤纯水 设施 10t/d 1 套 26 环保设备 酸性废水处理 +混凝沉淀系统 设计能力 200t/h 1 套 依托 27 含氢氟酸废水处理 设施 设计能力 50t/h 1 套 28 含铬酸废水处理设 施 设计能力 50t/h 1 套 29 废水（尾水）深度处理系统（中水回用） 设计能力 200t/h 1 套 30 含 N 废水处理系统（回用） 100t/d 1 套 新建 31 含 P 废水处理系统（回用） 10t/d 1 套 32 含铬酸雾废气洗涤 塔处理系统 设计风量70000m3/h 1 套 新建 33 酸性废气洗涤塔处 理系统 设计风量70000m3/h 1 套 34 含 N 废气洗涤塔 设计风量70000m3/h 1 套 35 含 P 废气洗涤塔 设计风量70000m3/h 1 套 36 有机废气活性炭纤 维吸附系统 风量 40000m3/h 1 套 37 硅烷燃烧 风量 6400m3/h 1 套 38 噪音隔音设施 / 4 套 污染源强及污染物排放量分析 （ 1）本项目的废气产生情况 本项目废气产生情况一览表 废气类别 排气筒编号 主要污染因子 产生环节 防治措施 有组织排放废气 工艺废气 G14 铬酸雾 有铬线腐蚀（制 绒） 铬酸雾洗涤 +高空集中 25m高排气筒 排放 G15 氟化物、HCl、 ClCF SiF硫酸雾 腐蚀（制绒）、硅片扩散、去硅玻璃 洗涤塔 +高空集中 25m高 排气筒 排放 G16 P2O5 硅片扩散 洗涤塔 +高空集中 25m高 排气筒 排放 G17 NOx 无铬线腐蚀（制绒）、去硅玻璃 洗涤塔 +高空集中 25m高 排气筒 排放 G18 SiH NH3 加减反射膜 硅烷燃烧 +高空集中 25m高排气筒 排放 G19 挥发性有机废气（ TVOC） 印刷、烘干 活性炭纤维 +高空集中 25m高排气筒 排放 无组织排放废气 铬酸雾、氟化物、硫酸雾、 HCl、Cl P2ONH SiHTVOC 等 未收集废气及化学品仓库 无组织排放 本 项目废气产生排放情况一览表 废气类型 废气量 m3/h 污染因子 产生浓度 （ mg/。