理学]模拟电子技术基础第四版习题解答

理学]模拟电子技术基础第四版习题解答内容摘要：

出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对 PNP 管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小 Rb。 22 已知 图 所示电路中，晶体管 β=100， ber =。 (1)现已测得静态管压降 UCEQ=6V，估算 Rb； (2)若测得 iU 和 oU 的有效值分别为 1mV 和 100mV，则负载电阻 RL为多少。 解 ： (1) mAR UVI c CECCC 2， AII CB  20/  , ∴  kI UVR B BECCb 565。 (2)由 ( // ) 100o c Lu i b eU R RA Ur     , 可 得 : 。 图 在 图 所示电路中 ， 设静态时 2CQI mA ， 晶体管饱和管压降。 试问：当负载电 阻 LR 和 3LRk时 ， 电路的最大不失真输出电压各为多少伏。 解： 由于 2CQI mA ，所以 6CE Q CC CQ cU V I R V  。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。 故 3 .8 22C E Q C E Som UUUV 3LRk时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止 失真。 故 39。 2 .1 22C Q Lom IRUV 电路如 图 所示，晶体管 β=100， br =100Ω。 (1)求电路的 Q 点、 uA 、 iR 和 oR ； (2)若改用 β=200 的 晶体管 ，则 Q 点如何变化。 (3)若电容 Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化。 如何变化。 23 解： (1)静态分析： 112 2bB Q C CbbRU V VRR   1B Q B E QEQ feUUI m ARR 101 EQBQ IIA e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V     图 动态分析：39。 26(1 ) 2 . 7 3b e b b EQmVr r kI     ( // ) 7 .7(1 )cLu b e fRRA rR     12// // [ (1 ) ] 3. 7i b b be fR R R r R k     5ocR R k   (2) β=200 时， 112 2bB Q C CbbRU V VRR   （不变）； 1B Q B E QEQ feUUI m ARR （不变）； 51 EQBQ IIA （减小）； e( R ) 5 .7CE Q CC E Q c fU V I R R V    （不变）。 (3) Ce开路 时， ( // ) // 1 . 9 2( 1 ) ( )c L c Lu b e e f e fR R R RA r R R R R         （减小）； 12// // [ ( 1 ) ( ) ] 4. 1i b b be e fR R R r R R k     （ 增大）； 5ocR R k  （不变）。 电路如 图 所示，晶体管的 β=80， ber =1kΩ。 24 (1)求出 Q 点； (2)分别求出 RL=∞和 RL=3kΩ时电路的 uA 、 iR 和 oR。 解： (1)求解 Q 点： 3 2 .3(1 )C C B E QBQ beVUIARR  (1 ) 2. 61E Q B QI I m A   7CE Q CC E Q eU V I R V   (2)求解放大倍数和输入、输出电阻： RL=∞时； (1 ) 0 .9 9 6(1 )eu b e eRA rR  图 // [ (1 ) ] 110i b be eR R r R k     RL=3kΩ时 ； (1 ) ( // ) 0 . 9 9 2(1 ) ( // )eLu b e e LRRA r R R  // [ (1 ) ( // ) ] 76i b be e LR R r R R k     输出电阻： //// 3 71s b b eoe R R rRR    电路如 图 所示，晶体管的 β =60 , 39。 100bbr 。 (1)求解 Q 点、 uA 、 iR 和 oR (2)设 Us = 10mV （有效值），问 ?iU , ?oU 若 C3 开路，则 ?iU , ?oU 解： (1) Q 点： 31(1 )C C B E QBQ beVUIARR  Q BQI I m A 图 25 ( ) 6CE Q CC E Q c eU V I R R V    uA 、 iR 和 oR 的分析： 39。 26(1 ) 9 5 2b e b b EQmVrr I    , ( // ) 95cLu beRRA r    // 952i b beR R r   , 3ocR R k  。 (2)设 Us = 10mV （有效值），则 3 .2iissiRU U m VRR  ； 304o u iU A U m V   若 C3 开路，则： // [ (1 ) ] b be eR R r R k     ， // 1 .5cLueRRA R    9 .6iissiRU U m VRR   ， 14 .4o u iU A U m V  。 改正 图 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。 要求保留电路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 图 26 解： (a)源极加电阻 RS ； (b)漏极加电阻 RD； (c)输入端加耦合电容； (d)在 Rg 支路 加 −VGG， +VDD 改 为 −VDD 改正电路如解图 所示。 (a) (b) (c) (d) 解图 已 知 图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图 (b)、 (c)所示。 (1)利用图解法求解 Q 点； (2)利用等效电路法求解 uA 、 iR 和 oR。 (a) 27 (b) (c) 图 解： (1)在转移特性中作直线 GS D su i R ，与 转移特性的交点即为 Q 点；读出坐标值，得出 1 , 2D Q G SQI mA U V  。 如 解图 (a)所示。 (a) (b) 解图 在输出特性中作直流负载线 ()D S D D D d su V i R R  ，与 2GSQUV 的那条输出特性曲线的交点为 Q 点， 3DSQUV。 如 解图 (b)所示。 (2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 ()2 1/DSDm U D S S D QG S G S o f fig I I m V VuU    5u m dA g R   ； 1igR R M  ； 5odR R k   已知 图 (a)所示电路中场效应管的转移特性如图 (b)所示。 28 求解电路的 Q 点和 uA。 (a) (b) 图 解： (1)求 Q 点： 根据电路图可知， 3GSQ GGU V V。 从转移特性查得，当 3GSQUV 时的漏极电流： 1DQI mA 因此管压降 5D SQ D D D Q dU V I R V  。 (2)求电压放大倍数： ∵()2 2/m D Q D OG S t hg I I m A VU， ∴ 20u m dA g R    电路如 图 所示。 （ 1） 若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施。 若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施。 （ 2） 若想增大 uA ，则可采取哪些措施。 解： （ 1） 输出电压波形底部失真，类似于 NPN 型三极管的饱和失真，应降低 Q，故可减小 R2或增大 R RS；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大 R2或减小 R RS。 （ 2） 若想增大 uA ，就 要增大漏极静态电流以增大 mg ，故可增大 R2 或减小 RRS。 图 中的哪些接法可以构成复合管。 标出它们等效管的类型（如 NPN 型、 PNP 型、 N 沟道结型„ „ )及管脚 (b 、 e 、 c 、 d 、 g 、 s )。 29 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 图 解： (a)不能。 (b)不能。 (c)构成 NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 (d)不能。 (e)不能。 (f)构成 PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 (g)构成 NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 30 第 3 章 多级放大电路 自测题 一 、 现有基本放大电路： 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为 1kΩ至 2kΩ，电压放大倍数大于 3000 ，第一级应采用 ( A )，第 二级应采用 ( A )。 (2)要求输入电阻大于 10MΩ，电压放大倍数大于 300 ，第一级应采用 ( D )，第二级应采用 ( A )。 (3)要求输入电阻为 100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于 100 , 第一级应采用 ( B )，第二级应采用 ( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于 10 ，输入电阻大于 10MΩ，输出电阻小于 100Ω，第一级应采用 ( D )，第二级应采用 ( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压 ，且1000ouiiUA I， 输出电阻 Ro＜ 100 ，第一级应采用采用 ( C )， 第二级应 ( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 ( C、 D )。 A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性 C．晶体管参数受温度影响 D．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接 耦合方式的原因是 ( C )。 A．便于设计 B．放大交流信号 C．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因 是 ( A )。 A．克服温漂 B．提高输入 电阻 C．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ( A )，共模信号是两个输入端信号的 ( C )。 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( B )。 A．差模放大倍数数值增大 B．抑制共模信号能力增强 C．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使 ( C )。 31 三 、。