万家乐电磁炉维修手册

万家乐电磁炉维修手册内容摘要：

有充电和放电的作用，当 IC1B 6 脚电压高过 7 脚电压， IC1B 内部又发生翻转， IC1B 1 脚输出低电平， IGBT 驱动电路同时也输出低电平， IGBT截止。 完一个振荡周期后。 如此 周而复始，就完成了振荡回路。 锅具检测电路 (电路见图 ) 当电磁炉开始加热时，单片机通过 PAN 口发出检锅脉冲，此脉冲将引起 LC 自由振荡，振荡波形会令 IC1 B产生一系列的方波。 单片机通过 PAN口对方波的宽度检测来判断是否有锅。 不同材质、尺寸的锅具在一定时间内的脉冲宽度是不同的，有无锅的区别就更大了。 IGBT驱动电路 如图 万家乐电磁炉 MCXXEK（ AI）系列主控板维修手册 第 10 页 共 20 页 C9271Q58050Q48550+ 18VR 1 73 .3 KD 20I N 4148761I C 1 BL M 3 3 9R21 0 1 /4 WD E V I C EIGBT管 驱动电路 图 IGBT驱动电路 比较器输出端产生 IGBT管的驱动方波，驱动方波通过由两个极性互补的三极管 Q Q4组成的推挽电路，将 DEVICE输出端的输出脉冲电压提高到 18V 左右，以满足 IGBT 管的驱动要求。 当 IC1B 1 脚输出高电平时， Q5 导通， Q4 截止， DEVICE为高电平，约为 18V；当 IC1B 1 脚输出低电平时， Q4 导通， Q3 截止， DEVICE为低电平。 PWM脉宽调控电路 如图 图 PWM脉宽调控电路 PWM脉宽调控单元是单片机对电磁炉整个工作状态进行智能控制的唯一 通道， R5 R1 R2 R2R2 C1 EC3组成积分电路。 其工作原理就是把单片机输出的不同占空比的方波脉冲转化成相应的直流电压，并以此电压数据直接作为 IGBT管驱动的基准电压。 因为 PWM脉宽调控电路输出端的直流电压变化与输入端的方波脉冲宽度（占空比）有很大且直接的关系， PWM 脉冲宽度宽， C15 上积分电压越高，所以要改变输出端的直流电压时，只要改变输入方波的脉冲宽度（占空比）即可。 R25是高电平上拉电阻， C15用来抑制高频干扰， EC3用来平滑输出的直流电压。 CPU通过控制 PWM脉冲的宽 与窄 , 控制送至振荡电路的加热功率控制电压，控制了 IGBT导通时间的长短 ,结果控制了加热功率的大小。 同步电路 如图 R 2 536K+ 5VR 1 5 33R 5 1 20KE C 34 .7 u F /1 6 vR 2 951KC 1 51 0 1R 2 615KI C 1B 7P W MPW M脉 宽调控电路I C 1C 1 4万家乐电磁炉 MCXXEK（ AI）系列主控板维修手册 第 11 页 共 20 页 图 同步电路 同步信号由 LM339（ IC1D）比较器产生，其信号取自 LC振荡的电容 C1两端的分压。 电阻 R9与 R11分压输入到负输入端“ V－”，电阻 R R4 等分压到正 输入端“ V＋”。 电磁炉在上电开机后，单片机 PAN 端口给同步电路一启动脉冲，使 IGBT管启动导通。 IGBT管导通后，由于线盘电感的作用，这时 “ V－”分压大于“ V＋”分压，比较器 13脚输出电平，经后续电路整形后 IGBT管继续导通，当线盘电感蓄能完毕后，“ V＋”分压稍大于“ V－”分压，比较器 IC1D翻转输出高电平， IGBT管截止， LC振 荡回路产生 振 荡；当C1放电完毕后，再次出现 “ V－”分压大于“ V＋”分压的情况，比较器 IC1D输出低电平， IGBT管再次导通，振 荡电路完成一个工作循环。 所以 振 荡回路在同步控制电路被触发启动后，只要不切断整个 振 荡电路的电源，那么整个 振 荡回路将一直工作下去。 IGBT管在导通时，其 C极电压越低， IGBT管内部损耗越小，反之 则损耗越大。 当 IGBT管内部损耗超过规定值时， IGBT管会因内部发热严重烧环。 在电磁炉理想的工作状态下， IGBT管 C电压为零时开通 IGBT，其内损耗 W=UI=0，但实际上在电磁炉工作时， C极电压不可能为 0，所以只能取 IGBT管 C极最低的电压时开通 IGBT 管使 IGBT管的开关损耗最小。 所以，同步信号就是 IGBT 管 C极电压最低时的检测信号，也就是最佳的 IGBT管导通时机。 限压电路 如图 C82 n 2 /C B BR2 02KC4101111013I C 1 DL M 3 3 9+ 5V+ 18 V312R 11R J 8. 2K _1 / 6WR5RI40_470K_1/2WR4RI40_470K_1/2WC 14104P A N反馈同步电路R9RI40820K_1/2WL1D D L 2 6 0C24 UF /4 0 0 V D CC10 .2 4 U F /1 2 0 0 VD CF 2 0 2 F 2 0 1R14 .7 KQ1H 2 0 T 12 0R210_1/4WZ218V/0.5W扼流线圈30 0V D C加热线圈锅具IGBT0 .0 0 1 o h m康铜丝C 20 271万家乐电磁炉 MCXXEK（ AI）系列主控板维修手册 第 12 页 共 20 页 图 限压电路 限压保护电路有类似浪涌保护单元，都以比较器为核心组成。 在比较器 IC1C的正输入端，电阻 R1R14分压 5V电压作为比较基准电压，比较器负输入端由 IGBT管 C极经电阻 R R R R1 R12分压取样。 在正常情况下， “－”输入端电压小于“＋”输入端的 比较基准电压，比较器 IC1C输出端内部处于开路。 输出高电平。 保护电路不影响整机工作。 当整机出现异常情况， IGBT管 C极电压接近 IGBT管最在耐压值时， “－”输入端电压大于“＋”输入端的 比较基准电压，比较器 IC1C 输出低电平拉低 IGBT 管导通门限电压，缩小 IGBT管驱动占空比，缩短 IGBT管导通时间，降低 IGBT管 C极电压，达到保护 IGBT的目的。 IGBT管 C极电压超压保护单元的保护性质是限制性保护，保护动作时整机不停止工作。 浪涌电压检测电路 如图 图 浪涌电压检测电路 R5RI40_470K_1/2WR4RI40_470K_1/2WI G B T C9814I C 1 CL M 3 3 9+ 5V18VR 16R J _1K _1/ 6WR7R J _1/ 6WR13RJ10K_1/6WR14RJ1K_1/6WC 25104限压电路R 1 5 33R 5 1 20KP W MR7R J _1K _1/ 6WD21N4007D71N4007C35 6 1R 2 71 0 K+ 5VQ6S 80 50R 3 4R J 4 7 0 K /1 /4 WR 3 5R J 4 7 0 K /1 /4 WR 4 0R J 1 5 0 K /1 /4 WC16102/1KVR 2 22 0 KD 1 01 8 VC82 n 2 /C B B761I C 1 BL M 3 3 9+ 5VR 2 362KD 1 91 N 4 1 4 8+ 18 VD4I N 4 1 4 8I G B TINTIG BT 驱动中断振荡电路浪涌保护电路万家乐电磁炉 MCXXEK（ AI）系列主控板维修手册 第 13 页 共 20 页 浪涌保护电路的作用是在电磁炉加工热工作过程中，当外部电网出现各种异常的电压浪涌现象时，能及时主动关闭 IGBT管，起到保护作用。 浪涌保护电路由三极管 Q6 及部分外围元器件组成。 由电阻 R3 R3 C1 R R22 组成分压电路接于高压整流输出端，在电阻 R22 两端的压降为取样电压，送到稳压管 D10； C16 为加速电容。 当电磁炉处于工作状态，而电网出现电压浪涌时，电阻 R22上的压降增大，当此电压高于稳压管 D10反向击穿电压时，三极管 Q6导通，瞬间拉低 IC1B比较器的 “＋”输入端的电压，使比较器翻转，同时单片机的 INT中断口动作， IGBT 管驱动电路的 IGBT 管导通门限电压被拉低，迫使 IGBT 管截止，达到保护目的。 IGBT 截止后，同步电路也会停止工作，电磁炉暂停加热。 当电网上的浪涌消失后，保护电路复位整 机再次进入加热状态。 电流检测电路 如图 图。 如图采用电阻采样的电流采样单元，康铜丝是串联在 IGBT 管 E 极与电源负极之间的采样电阻，一般选取 ,使其在通过 10A 电流时压降达到 的技术要求。 比较器 IC1A和外围电路组成放大系数为100倍的正向直流放大器，在 VR1即可获得放大 100 倍后的电流采样电压，此电压送到 CPU的 IA/D口，使单片机做出相应动作。 采用电流互感器采样的电流采样原理：利用电流互感器二次测得的 AC电压，经 四只 4148二极管组成桥式整流，经电阻分压、电解电容滤波后直流电压送到 CPU 的电流 AD 口。 电流互感器的匝数比大，则其在大电流的工作时感应出来的线性好。 可调电阻主要用来高整因为结构误差引起的功率差，通过调节电阻来改变电流检测基准，达到调节电磁炉输出功率大小的目的。 (1) 检到锅具后，将用一定时间来检测电流的变化，通过电流的大小来确定锅具的材质、大小和锅具的有无。 (2) 工作时，单片机时刻检测该电流的变化，根据检测到的电流信号，自动调控 PWM 的脉宽 ,令输出功率保持恒定。 如图 542312I C 1 AL M 3 3 9R。