高密度封装基板设计与技术介绍

高密度封装基板设计与技术介绍内容摘要：

0 150 130 BLV/Land 75/175 75/160 65/150 60/130 100/230 100/200 75/180 PTH/Land 100/210 72020 SM Reg.177。 35 SM Reg.177。 30 SM Reg.177。 20 SM Reg.177。 15 Solder Mask SM Flatness177。 7 SM Flatness177。 5 SM Flatness177。 5 Surface Finish E`lytic Ni/Au。 ENEPIG。 OSP。 AFOP Immersion Tin E`lytic Ni/Ag SAC305/E`lytic SOP SAC305/OSP Ni/Au ENEPIG Discrete Planar Embedded IC Embedded Embedded Embedded 2020 HVM 2020 LVM 2020 18 埋入式器件高密度封装基 板 埋 入 技术分 类 平面埋入 分立器件埋入 埋入电阻 埋入分立电容 埋入分立电阻 埋入电容 埋入芯片 埋入电感 19 平面埋入式电容、电阻高 密度封 装基板 优势 : 传统设计 减少表面元件的安装 面积。 可以实现电子产品的 小型、 薄型化 导线长度缩减 ,提高 电子特 性 (可 对应高频 )。 焊点减少 ,提高焊接 可靠性。 旁路电容的配置的合 理化 , 提高抗 埋入式设计 电磁干扰能力。 减少小型元件的安装 不良 , 提高装 配效率。 减少管理成本。 Character Value 2 2 2 2 2 Capacitance /area nF/in 10 nF/in 20 nF/in 30 nF/in 40 nF/in Dielectric Constant 1 kHz 16 22 22 22 22 Dissipation Factor 1 kHz Dielectric Thickness 14 μm 12 μm 6 μm 4 μm 3 μm ?CTE ppm/C 32 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z 31 x,y,z Dielectric loss @ 1GHz Resin system Epoxy, ceramic filler Dielectric Strength ~130V/ μm 20 Copper Thickness 35 μ m mil 埋入式分立器件高密度封 装基板 埋 入 分立器 件的种 类 种类 长 (L1 ) 宽 (W ) 高 (T ) 电极宽 (L2amp。 L3 ) 0402 电容 (普通 ) 177。 177。 177。 0402 电阻 (普通 ) 177。 177。 177。 0402 电容 (GRU153 ) 177。 177。 0402 电容 (GRU15Y ) 177。 177。 0201 电容。